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des thèses françaises
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Influence de l'enrichissement superficiel en arsenic sur l'ohmicité du conact n-GaAs:In\Au
FR |
EN
| Auteur / Autrice : | Patrice Person |
| Direction : | Jean-René Martin |
| Type : | Thèse de doctorat |
| Discipline(s) : | Sciences. Dispositifs de l'électronique intégrée |
| Date : | Soutenance en 1987 |
| Etablissement(s) : | Ecully, Ecole centrale de Lyon |
| Partenaire(s) de recherche : | Laboratoire : Laboratoire de physique chimie des interfaces (Ecully, Rhône) |
Mots clés
FR
Mots clés contrôlés
Résumé
FR
Presentation des differents modeles de jonctions metal-semiconducteur et explication des mecanismes de transport du courant a l'interface. On definit alors le contact ohnique et la resistance specifique de contact. On conclue quand a la faisabilite de contacts ohniques de bonne qualite apres enrichissement de la surface du substrat de n-gaas en arsenic