Influence de l'enrichissement superficiel en arsenic sur l'ohmicité du conact n-GaAs:In\Au

par Patrice Person

Thèse de doctorat en Sciences. Dispositifs de l'électronique intégrée

Sous la direction de Jean-René Martin.

Soutenue en 1987

à l'Ecully, Ecole centrale de Lyon , en partenariat avec Laboratoire de physique chimie des interfaces (Ecully, Rhône) (laboratoire) .

mots clés

• Arsenic
• Semiconducteurs
• Arséniure de gallium

Résumé

Presentation des differents modeles de jonctions metal-semiconducteur et explication des mecanismes de transport du courant a l'interface. On definit alors le contact ohnique et la resistance specifique de contact. On conclue quand a la faisabilite de contacts ohniques de bonne qualite apres enrichissement de la surface du substrat de n-gaas en arsenic

Titre traduit

Influence of arsenic superficial enrichment on the n-gaas: in/au contact ohnicity

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