Contribution à l'étude des défauts primaires ou complexes, crées par irradiation électronique, dans l'arséniure de Gallium

par Didier Stiévenard

Thèse de doctorat en Sciences physiques

Sous la direction de Jacques Bourgoin.

Soutenue en 1986

à Lille 1 .

mots clés

• Résonance paramagnétique électronique
• Arséniure de gallium -- Défauts
• Faisceaux électroniques

Résumé

Etude des défauts créés par RPE et spectrométrie transitoire de niveau profond. Etude particulière du défaut EL2 identifié comme antisite d'As associé à un interstitiel d'arsenic

Titre traduit

Primaries and complex defects generated in gallium arsenide by electron irradiation

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