Implantation ionique d'accepteurs dans le phosphure d'indium : caracterisation physico-chimiques et electriques

Acceptors implantation in indium phosphide: physicochemical and electrical characterization

• Auteur / Autrice : Jean-Michel Roquais
• Direction : RENE GRANGER
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Physique
• Date : Soutenance en 1986
• Etablissement(s) : Rennes, INSA

Mots clés

Mots clés libres

Physique

Etat condense

Proprietes electriques, magnetiques, optiques

Concentration porteur charge

Effet hall

Implantation ion

Diffusion raman

Etude experimentale

Heterodiffusion

Compose mineral

Indium phosphure

Charge carrier concentration

Hall effect

Ion implantation

Raman scattering

Experimental study

Impurity diffusion

Inorganic compound

Indium phosphides

Résumé

Etude du dopage p**(+) dans inp par implantation d'accepteurs peu profonds: be, mg, zn, hg. Caracterisation du desordre cree par diffusion raman; etude au degre de recristallisation apres recuit d'implantation. Etude par emission photoelectronique rx d'une contamination de surface. Determination de profils d'impuretes. Les profils de concentration de porteurs ont ete analyses par effet hall et mesures electrochimiques. Etude du coefficient de diffusion du zinc par la methode de boltzmann-matano