Implantation ionique d'accepteurs dans le phosphure d'indium : caracterisation physico-chimiques et electriques

par Jean-Michel Roquais

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de RENE GRANGER.

Soutenue en 1986

à Rennes, INSA .

mots clés

• Physique
• Etat condense
• Proprietes electriques, magnetiques, optiques
• Concentration porteur charge
• Effet hall
• Implantation ion
• Diffusion raman
• Etude experimentale
• Heterodiffusion
• Compose mineral
• Indium phosphure
• Charge carrier concentration
• Hall effect
• Ion implantation
• Raman scattering
• Experimental study
• Impurity diffusion
• Inorganic compound
• Indium phosphides

Résumé

Etude du dopage p**(+) dans inp par implantation d'accepteurs peu profonds: be, mg, zn, hg. Caracterisation du desordre cree par diffusion raman; etude au degre de recristallisation apres recuit d'implantation. Etude par emission photoelectronique rx d'une contamination de surface. Determination de profils d'impuretes. Les profils de concentration de porteurs ont ete analyses par effet hall et mesures electrochimiques. Etude du coefficient de diffusion du zinc par la methode de boltzmann-matano

Titre traduit

Acceptors implantation in indium phosphide: physicochemical and electrical characterization

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