Contribution à l'étude des siliciures pour la microélectronique

Silicides for use in microelectronics

• Auteur / Autrice : Olivier Thomas
• Direction : Jean-Pierre Sénateur, Roland Madar
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Sciences des matériaux
• Date : Soutenance en 1986
• Etablissement(s) : Grenoble INPG
• Partenaire(s) de recherche : Laboratoire : Laboratoire des matériaux et du génie physique (Grenoble)
• Jury : Président / Présidente : Alain Deneuville
• Jury : Examinateurs / Examinatrices : Alexandre Revcolevschi, Pierre Pinard, G. Bomchil

Mots clés

Mots clés libres

Physique

état condensé

Propriétés électriques

Magnétiques

Optiques

Métal Transition Composé

Compose Minéral

Etude Expérimentale

Conductivité Electrique

Magnétoconductivité

Effet de Haas van Alphen

Surface Fermi

Tantale Siliciure

Molybdène Siliciure

Tungstène Siliciure

Transition Metal Compounds

Inorganic Compound

Experimental Study

Electrical Conductivity

Magnetoconductivity

De Haas Van Alphen Effect

Fermi Surface

Tantalum Silicides

Molybdenum Silicides

Tungsten Silicides

Résumé

Elaboration de monocristaux de TaSi2, MoSi2, WSi2. Mesures de conductivité, magnétoconductivité; détermination de la surface de Fermi de MoSi2 par effet de Haas van Alphen. L'interaction du phosphore avec WSi2 a été étudiée par la métallurgie des poudres