Étude expérimentale de la localisation faible dans GaAs : dimensionnalité, régime haute température, et effet de champ électrique

Weak localization in gaas : dimensionality, high temperature regime and electric field effects

• Auteur / Autrice : Jacques-Ariel Sirat
• Direction : Pierre Averbuch
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Physique, matière, rayonnement
• Date : Soutenance en 1986
• Etablissement(s) : Grenoble 1

Mots clés

Mots clés contrôlés

Semiconducteurs à l'arséniure de gallium

Mots clés libres

Physique

Etat condense

Proprietes electriques

Magnetiques

Optiques

Localisation electronique

Conductivite electrique

Champ magnetique

Hyperfrequence

Magnetoconductivite

Interaction electron phonon

Compose mineral

Etude experimentale

Effet non lineaire

Gallium arseniure

Electron localization

Electrical conductivity

Magnetic field

Microwave

Magnetoconductivity

Electron phonon interaction

Inorganic compound

Experimental study

Non linear effect

Gallium arsenides

Résumé

Mesures de resistance continue sur gaas effectuees sous champ magnetique, champ electrique continu, en impulsions, en hyperfrequences. Quelques effets lies aux longueurs de coupures sont analyses : basse dimensionnalite, cross-over dimensionnels, taille finie du desordre. Ce dernier effet apparait dans la magnetoresistance a la limite "haute temperature" et il provoque une non-linearite en champ electriqu liee a la diffusion elastique sous champ electrique. A basse temperature, l'attenuation de la localisation par le champ electrique est essentiellement un effet thermodynamique : les electrons sont chauffes au dessus de la temperature des phonons