Mécanismes physiques dus a l'interface diélectrique semiconducteur dans le fonctionnement des transistors a effet de champ sur arséniure de gallium
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Auteur / Autrice : | Daniel Benarroche |
Direction : | Jean-Bernard Theeten |
Type : | Thèse de doctorat |
Discipline(s) : | Sciences des matériaux |
Date : | Soutenance en 1985 |
Etablissement(s) : | Paris 7 |
Mots clés
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Résumé
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Description du fonctionnement du transistor MESFET et panorama des effets parasites. L'analyse expérimentale des phénomènes électriques est faite par la mise en oeuvre d'un système automatise. Celui-ci nous donne les moyens d'une caractérisation tant statique (trace des réseaux I (DS), V (DS), courant de fuite de grille), que dynamique (analyse spectroscopique des transitoires de courant et détermination des taux d'émission par la méthode I. T. S. Isothermal Transient Spectroscopy). Les éléments déduits de cette analyse, nous fournissent les bases de la modélisation et de l'interprétation des mécanismes a l'origine des effets parasites des transistors a effet de champ