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Étude théorique et experimentale du transistor à effet de champ à hétérojonction AlGaAs/GaAs
par Christophe Versnaeyen
Thèse de doctorat en Électronique
Sous la direction de André Vanoverschelde.
Soutenue en 1985
à Lille 1 .
- Transistors à effet de champ
mots clés
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Résumé
Modélisation de la structure grille-hétérojonction. Caractérisation physique du transistor TEGFET. Caractérisation dynamique du composant TEGFET. Détermination du schéma équivalent.
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Titre traduit
AlGaAs/GaAs heterojunction field effect transistor : theoretical and experimental study
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