Véronique Soulière
IdRefMots clés
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EN
3C-SiC
Dépôt chimique en phase vapeur
Silicium polycristallin
Couche de piégeage
Dopage au Carbone
CVD
Haute résistivité
Silicium cristallisé
Carbone
Dépôt en phase vapeur par organométalliques
Phosphure d'indium
4H-SiC
Homoépitaxie
GeH4
Incorporation de Ge
Mécanisme de croissance
Hétéroépitaxie
Épitaxie
Silicium -- Substrats
Macles (cristallographie)