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Jean-Bernard Theeten

a dirigé 4 thèses

Arséniure de gallium Circuits intégrés -- Passivation Diodes à barrière de Schottky Diélectriques Ellipsométrie Entropie maximale, Méthode d' Filtrage Liaisons fortes MIS Passivation Photoluminescence Photoémission Semiconducteurs à l'arséniure de gallium Transistors à effet de champ

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Arséniure de gallium Circuits intégrés -- Passivation Diodes à barrière de Schottky Diélectriques Ellipsométrie Entropie maximale, Méthode d' Filtrage Liaisons fortes MIS Passivation Photoluminescence Photoémission Semiconducteurs à l'arséniure de gallium Transistors à effet de champ

Jean-Bernard Theeten a dirigé les 4 thèses suivantes :

Étude par photoémission X et UV du nettoyage et de la passivation en plasma multipolaire d'une surface (100) de semiconducteur III-V

par Paul Friedel sous la direction de Jean-Bernard Theeten - Paris 11

Sciences physiques

Soutenue en 1987

Thèse soutenue

Caractérisation in situ par ellipsométrie et photoluminescence de l'interaction de plasmas multipolaires d’hydrogène et d'azote avec la surface (100) de GaAS

par Daniel Arnoult sous la direction de Jean-Bernard Theeten - Lyon, INSA

Electronique

Soutenue en 1986

Thèse soutenue

Mécanismes physiques dus a l'interface diélectrique semiconducteur dans le fonctionnement des transistors a effet de champ sur arséniure de gallium

par Daniel Benarroche sous la direction de Jean-Bernard Theeten - Paris 7

Sciences des matériaux

Soutenue en 1985

Thèse soutenue

Caractérisation de l'interface isolant / GaₓIn₁₋ₓAs : application à la réalisation de transistors à effet de champ à grille isolée

par Monique Taillepied sous la direction de Jean-Bernard Theeten - Lyon, INSA

Electronique

Soutenue en 1985

Thèse soutenue