Abb  Ald  Analyse de défaillance  Apprentisage automatique  Automobile  Aviation  Aéronautique  Back-Bias  Boucle d'asservisement  Bti  CMOS  Capacité 3D MIM  Capteurs d'images CMOS  Caractérisation  Caractérisation électrique  Chaine de markov  Charge de calcul  Circuit intégré  Circuits  Circuits digitaux  Circuits intégrés  Circuits intégrés numériques  Circuits électroniques  Claquage d’oxyde  Claquage soft  Compensation  Corrélation  Durée de vie  Décharges électriques  Dégradation de l’oxyde de grille  Dégradation par porteurs chauds  Détérioration  ESD  Effets d’antenne  Etats d’interface  FDSOI  FPGA  Fdsoi  Fiabilité  Filament  HCI  Hci  High-K  High-k  Interaction  Interaction laser/Silicium  LVI  Layout  Localisation de défauts  MIM  MOS  MOS complémentaires  Markov, Processus de  Matériaux -- Détérioration  Memristors  Microscopie à force atomique  Microscopie à force atomique en mode conduction  Microstructure  Microélectronique  Modèle de vieillissement  Modèles mathématiques  Modélisation  Modélisation HCI  Moniteurs in-Situ  Mosfet  Mémoires résistives  Métaloxyde semi conducteur  Méthodologie  NBTI  Nanofil  Nanofils  Nanotechnologie  Nanoélectronique  Nbti  Oscillateurs en anneau  Oxyde bicouche  Oxydes  Polarisation face arrière  Polissage mécano chimique  Porteurs Chauds  Porteurs chauds  Process  Processeurs  Procédé plasma  Pulse  Relaxation  Relaxation, Phénomènes de  Résine époxy  Résistance différentielle négative  Semiconducteurs  SiOCH poreux  Silicium -- Substrats  Silicium  Silicium sur isolant complétement déplété  Simulation  Spectroscopie diélectrique  Sram  Ssoi  Stimulation laser  Systèmes microélectromécaniques  TDDB  TFI  Taux de défaillance  Tddb  Technologie  Technologie silicium sur isolant  Tension de bulk  Thermoréflectance  Traitement thermique  Transistor  Transistor FDSOI  Transistor MOS  Transistors  Transistors MOSFET  Transistors en couches minces  Trigate  UTBOX  Ultravide  Utbb-Fdsoi  VLSI  Variabilité temporelle  Variation process  Variations de procede  Vieillissement  Vmin  Wafer level underfill  Électronique  

Alain Bravaix a rédigé la thèse suivante :


Alain Bravaix a dirigé les 10 thèses suivantes :

Sciences pour l'ingénieur: mécanique, physique, micro et nanoélectronique
Soutenue le 07-07-2017
Thèse soutenue


Alain Bravaix a été président de jury de la thèse suivante :


Alain Bravaix a été rapporteur des 9 thèses suivantes :

Nano electronique et nano technologies
Soutenue le 29-06-2018
Thèse soutenue

Nano electronique et nano technologies
Soutenue le 05-04-2018
Thèse soutenue