Analyse dispersive en énergie  Antimoine  Arsenic  Auto-organisation  Bipolar transistor  Boites quantiques  Bombardement ionique  Boîtes quantiques  Boîtes quantiques d’In Carbure de silicium  Cellules photovoltaïques  Centres NV  Coefficient Seebeck  Coeur-Coquille  Collisions  Conductivité thermique  Contraintes  Contraintes  Contraintes élastiques  Couches diélectriques  Couches minces  Cristallisation  Cristaux -- Croissance  Croissance -- Aspect moléculaire  Croissance  Croissance directe  Croissance latérale  Croissance par épitaxie  Croissance sélective  DELs  Diamant  Diffraction  Diffraction atomique  Diffusion  Dislocations  Dispersion en énergie  Dispositifs électroniques  Dopage  Dopage in situ  Déformations  Dépôt chimique en phase vapeur  Dépôt en phase vapeur par organométalliques  Emittance  Epitaxie  Epitaxie par jets moléculaire  Epitaxie par jets moléculaires  Epitaxy  FIB  Faisceau d'ions focalisé  Faisceau d'ions focalisés  Faisceau d‘ions focalisés  Fib  GaN  Germanium -- Alliages  Germanium  Graphène  Gravure  Gravure ionique  Heteroepitaxie  Hydrogène  Hétéro-Épitaxie  Hétérostructures  III-N  Implantation d'ions  Implantation ionique  In situ doping  Incidence rasante  Instabilités  Ions -- Implantation  Isolation thermique  MPCVD  Manganèse  Matière condensée  Matériaux -- Propriétés magnétiques  Matériaux ferromagnétiques  Matériaux nanostructurés  Matériaux thermoélectrique à base Si  Microelectronique  Microscopes électroniques à transmission  Microscopie électronique  Microscopie électronique en transmission  Microélectronique  Monte-Carlo, Méthode de  Nanofils  Nanomagnétisme  Nanoparticules  Nanoparticules de silicium  Nanostructures  Nanotechnologie  Nitrure de gallium  Nitrure d’aluminium  Nitrures  Nitrures d’éléments III  Nucléation  Optoélectronique  Organisation  Oxynitrure de silicium  Photopiles  Plasmas  Procédés de fabrication  Propriétés magnétiques  Semi-conducteur magnétique dilué  Semiconducteur III-V  Semiconducteurs -- Dopage  Semiconducteurs  Semiconducteurs II-VI  Semiconducteurs de puissance  Semiconducteurs magnétiques  Semiconducteurs polycristallins  Semipolaire  Si polycrystallin  SiGe  SiO2  Silane  Silicium -- Alliages  Silicium -- Couches minces  Silicium  Silicium cristallisé  Silicium germanium  Silicium poreux  Silicium-germanium  Simulations Monte Carlo cinétiques  Sonde atomique tomographique  Sondes atomiques tomographiques  Source plasma  Spectrométrie Mössbauer  Spectroscopie Mössbauer  Spintonique  Substrat de silicium  Surfaces  Ségrégation  Technologie  Texturation  Thermoélectricité  Thèses et écrits académiques  Transistor bipolaire  Transistors bipolaires  Transistors bipolaires à hétérojonctions  Électronique de spin  Émetteur de lumière  Énergie  Épitaxie  Épitaxie par faisceaux moléculaires  Épitaxie par jet moléculaire  Épitaxie par jets moléculaires  

Isabelle Berbezier a dirigé les 10 thèses suivantes :

Physique et sciences de la matière. Matière condensée et nanosciences
Soutenue le 07-12-2017
Thèse soutenue
Physique et sciences de la matière
Soutenue le 23-10-2015
Thèse soutenue


Isabelle Berbezier a été président de jury des 4 thèses suivantes :

Physique. Micro et nano électronique
Soutenue en 2007
Thèse soutenue


Isabelle Berbezier a été rapporteur des 7 thèses suivantes :


Isabelle Berbezier a été membre de jury des 4 thèses suivantes :

Matière condensée et Nanosciences
Soutenue le 14-02-2014
Thèse soutenue