.  0 ta  1  14nm FDSOI  16nm  1s1r  20nm Métal-Gate-Last  28nm Bulk  28nm FD SOI  3D VLSI integration  3d  7 nm  A2ram  ANOVA  Ab initio  Ab initio simulations atomistiques  Ab-Initio  Accelerated test  Activation des dopants  Adn  Ajout d’éléments  Al  Al cu  AlGaN GaN  AlGaN/GaN  Alcu  Alliage binaire  AlumineSONOS  Aluminium  Aluminium alliage  Aluminium alloy  Amorphisation  Amplificateurs de puissance  Ampère  Amélioration du rendement  Analyse de performances Mémoire  Appariement  Appariement  Applications embarquées  Applications mobiles  Architecture 3D  Basse consommation  Basse température  Binary compound  Bore  Bruit  Bruit basse fréquence  Bruit à basse fréquence  Bruit électrique  Bti  CBRAM  CMOS  Caracteristique capacite tension  Caracteristique electrique  Caractérisation  Caractérisation électrique  Cbram  Cd  Charge carrier trapping  Circuit integre  Circuit intégré  Circuits intégrés  Circuits intégrés tridimensionnels  Cmos  Complementary mos technology  Compose binaire  Contrainte  Couche mince  Courant fuite  Dielectric materials  Dielectrique  Disruption electrique  Diélectrique  Diélectriques  Défauts  Défauts électriques -- Localisation  Dégradation par porteurs chauds  Dépôt chimique en phase vapeur  Désappariement  Electric breakdown  Electrical characteristic  Electronique  FDSOI  Fabrication  Fabrication microelectronique  Fd-Soi  Fdsoi  Fiabilite  Fiabilité  FinFET  Flash  Fowler nordheim injection  Germanium sur isolant  Grille enrobante  Grille métallique  Grille transistor  HfO2  Ingénierie  Injection fowler nordheim  Integrated circuit  Integration  Intégration 3D  Intégration  Intégration CMOS  MOS  MOS complémentaires  Magnétorésistance  Matériau à changement de phase  Memristors  Microelectronic fabrication  Microelectronique  Microélectronique  Mobilité  Modeling  Modelisation  Modèle  Modèles mathématiques  Modélisation  Modélisation HCI  Modélisation analytique  Modélisation compacte  Modélisation statistique  Monte-Carlo, Méthode de  Mos  Mosfet  Multicouche  Mémoire non volatile  Mémoire résistive  Mémoire à changement de phase  Mémoires flash  Mémoires non volatiles  Mémoires non-volatiles  Mémoires non-volatiles à accès sélectif  Mémoires résistives  Mémoires à changement de phase  Na  Nanofil  Nanofils  Nanotechnologie  Nanoélectronique  Nc  Nitruration  Nitrure de gallium  Nitrure de silicium  O si  Ordinateurs -- Mémoires  Ordinateurs -- Mémoires à semiconducteurs  OxRAM  Oxram  Oxyde  Oxyde de hafnium  PCM  Pcm  Permittivité  Piegeage porteur charge  Piégeage  Porteurs chauds  ReRAM  Relaxation  Reliability  Sciences appliquees  Sciences et techniques  Semiconducteurs  Si  SiGe  Silicium -- Couches minces  Silicium  Silicium oxyde  Silicium sur isolant  Silicium sur isolant complétement déplété  Silicon  Silicon oxides  Simulation  Simulation TCAD  Simulation par ordinateur  Sio2  Sonos  Tcad  Technologie CMOS  Technologie mos complementaire  Technologie silicium sur isolant  Thin film  Transistor  Transistor MOS  Transistor mos  Transistors  Transistors MOSFET  Transistors bipolaires  Transistors à effet de champ  Transistors à effet de champ à dopage modulé  Transport  Transport quantique  Transport électronique  Travail de sortie effectif  Tunnel FET  Variabilité  Variation process  Économies d'énergie  Électronique de puissance  Épitaxie  Épitaxie par faisceaux moléculaires  

Gérard Ghibaudo dirige actuellement les 9 thèses suivantes :

Nano electronique et nano technologies
En préparation depuis le 01-10-2019
Thèse en préparation

Nano electronique et nano technologies
En préparation depuis le 02-09-2019
Thèse en préparation

Nano electronique et nano technologies
Soutenue le 04-05-2012
Thèse en préparation

Nano electronique et nano technologies
Soutenue le 30-04-2020
Thèse en préparation

Nano electronique et nano technologies
Soutenue le 08-07-2022
Thèse en préparation


Gérard Ghibaudo a dirigé les 103 thèses suivantes :

Nanoélectronique et nanotechnologie
Soutenue le 22-09-2020
Thèse soutenue

Nanoélectronique et nanotechnologie
Soutenue le 06-11-2014
Thèse soutenue
Nanoélectronique et nanotechnologie
Soutenue le 20-10-2014
Thèse soutenue
Sciences et technologie industrielles
Soutenue le 24-09-2013
Thèse soutenue
Sciences et technologie industrielles
Soutenue le 14-12-2011
Thèse soutenue
Sciences et technologie industrielles
Soutenue le 05-12-2011
Thèse soutenue

Micro et nano électronique
Soutenue en 2010
Thèse soutenue

Physique. Micro et nano électronique
Soutenue en 2007
Thèse soutenue

Physique des composants à semiconducteurs rapides
Soutenue en 2003
Thèse soutenue

Optique, optoélectronique et micro-ondes
Soutenue en 2002
Thèse soutenue

Optique, optoélectronique, micro-ondes
Soutenue en 1993
Thèse soutenue


Gérard Ghibaudo a été président de jury des 43 thèses suivantes :

Nanoélectronique et nanotechnologie
Soutenue le 10-07-2019
Thèse soutenue
Sciences pour l'ingénieur: mécanique, physique, micro et nanoélectronique
Soutenue le 07-07-2017
Thèse soutenue

Sciences et technologie industrielles
Soutenue le 29-11-2013
Thèse soutenue
Sciences et technologie industrielles
Soutenue le 23-10-2013
Thèse soutenue

Sciences et technologie industrielles
Soutenue le 24-10-2012
Thèse soutenue
Sciences et technologie industrielles
Soutenue le 06-07-2012
Thèse soutenue


Gérard Ghibaudo a été rapporteur des 9 thèses suivantes :

Micro et nanoélectronique
Soutenue le 01-12-2011
Thèse soutenue

Gérard Ghibaudo a été membre de jury des 3 thèses suivantes :

Physique de la matière condensée et du rayonnement
Soutenue le 30-09-2021
Thèse soutenue