Modélisation 3D de la durée de vie des porteurs de charges pour les composants de puissance.

par Imen Abdennabi (Haddadi)

Projet de thèse en Electronique

Sous la direction de Nathalie Batut et de Ambroise Schellmanns.

Thèses en préparation à Tours , dans le cadre de Energie, Matériaux, Sciences de la Terre et de l'Univers - EMSTU , en partenariat avec Monot-Laffez (laboratoire) depuis le 21-02-2019 .


  • Résumé

    Le sujet s'intéressera au développement d'une approche intégrée de simulation physique numérique 3D pour la conception de composants de puissance de type redresseur et thyristor. Concrètement, on s'attachera à affiner la prise en compte des modèles de durée de vie des porteurs (ddv) spécifiquement dans des géométries 3D. Pour un dispositif semi-conducteur, outre le motif et le dimensionnel, la ddv est un paramètre central puisqu'elle agit directement sur le niveau et la dynamique des densités de porteurs localement au sein de la structure. Différents procédés de contrôle de ddv devront être considérés (irradiation, dopage). Les effets de la température et le rôle des défauts (présents aux seins des matériaux actifs, aux surfaces, aux interfaces, etc.) sur les ddv devront aussi être étudiés. Au final, l'outil de conception offrira de nouvelles voies d'analyse et d'optimisation de composants.

  • Titre traduit

    3D modeling of carriers lifetime for power components.


  • Résumé

    Development of a 3D physical simulation for power components modeling like rectifiers and thyristors, with specifying a 3D carriers lifetime model. In fact for semi-conductor devices, carriers lifetime is a central parameter to control the device behavior. Several techniques for carriers lifetime control must be considered such as irradiation and doping. The effects of temperature and traps present in the bulk, area and interface of the device structure will be studied in order to optimise the power device behavior.