Synthèse de fréquence millimétrique et térahertz en technologie silicium avancé.

par Raphael Guillaume

Thèse de doctorat en Electronique

Sous la direction de Yann Deval et de Andreia Cathelin.


  • Résumé

    Ces dernières années les bandes de fréquence millimétriques et térahertz (THz) ont montrées un fort potentiel pour de nombreuses applications telles que l'imagerie médicale et biologique, le contrôle de qualité ou les communications à très haut débit. Les principales raisons de cet intérêt sont les nombreuses propriétés intéressantes des ondes THz et millimétriques, telles que leur capacité traverser la matière et ceci de manière inoffensive ou le large spectre disponible à ces fréquences. Les applications visées nécessitent des sources de signaux énergétiquement efficaces, à forte puissance de sortie et, pour certaines applications, à faible bruit de phase. De plus, la demande croissante pour des applications dans ces bandes de fréquence imposent l'utilisation de technologie de hautes performances à coût métrisé et permettant une intégration à très grande échelle, telle que la technologie 28nm CMOS FD-SOI. Dans ce contexte, cette thèse propose une solution innovante pour la génération de fréquence millimétrique et THz en technologie CMOS : l'oscillateur distribué verrouillé par injection. Les travaux présentés dans ce manuscrit englobent l'analyse détaillé de l'état de l'art et de ses limites, l'étude théorique approfondie de la solution proposée pour une intégration en ondes millimétriques, le développement d'une méthodologie de conception spécifique en technologie CMOS ainsi que la conception de démonstrateurs technologique. Les différents oscillateurs intégrés en technologie 28nm FDSOI et opérant a des fréquences respectivement de 134 GHz et 200 GHz ont permis de démontrer la faisabilité de sources de signaux millimétrique et THz, à forte efficacité énergétique, forte puissance de sortie et faible bruit de phase en technologie CMOS à très grande échelle d'intégration. Enfin, la capacité de verrouillage par injection de tels oscillateurs distribués a été démontrée expérimentalement ouvrant la voie à de futurs systèmes THz totalement intégrés sur silicium. Les solutions intégrées démontrées dans cette thèse ont, à l'heure actuelle, la plus grande fréquence d'oscillation dans un nœud Silicium 28nm CMOS.

  • Titre traduit

    Millimeter-Wave and Terahertz Frequency Synthesis on Advanced Silicon Technology.


  • Résumé

    In recent years, millimeter-wave (mm-wave) and terahertz (THz) frequency bands have revealed a great potential for many applications such as medical and biological imaging, quality control, and very-high-speed communications. The main reasons for this interest are the many interesting properties of THz and millimeter waves, such as their ability to harmlessly penetrate through matter or the broad spectrum available at these frequencies. Targeted applications require energy efficient signal sources with high power output and, for some applications, low phase noise. In addition, the increasing demand in mm-wave/THz applications requires the use of a cost-optimized, high-performance, and very large scale integration (VLSI) technologies, such as the 28nm CMOS FD-SOI technology. In this context, this thesis proposes an innovative solution for mm-wave and THz frequency generation in CMOS technology: the injection locked distributed oscillator (ILDO). The work presented in this manuscript includes the detailed analysis of the state-of-the-art and its limitations, the detailed theoretical study of the proposed millimeter-waves band solution, the development of a specific design methodology in CMOS technology as well as the design of technological demonstrators. The several 28nm FDSOI integrated distributed oscillators at 134 GHz and respectively 200 GHz have demonstrated the feasibility of mm-wave and THz signal sources with high-energy efficiency, high output power, and low phase noise in a VLSI CMOS technology. Finally, the injection locking capability of such distributed oscillators has been demonstrated experimentally paving the way for a future silicon-based fully integrated THz systems. The proposed circuits are as of today the highest oscillation frequency solutions demonstrated in a 28nm CMOS Silicon technology.