Caractérisation Electron-beam-induced current (EBIC) à basse température de détecteurs IR de 3eme génération.

par Adrien Yeche

Projet de thèse en Physique appliquee

Sous la direction de Olivier Gravrand et de François Boulard.

Thèses en préparation à Grenoble Alpes , dans le cadre de École doctorale physique (Grenoble) , en partenariat avec Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (LETI - CEA) (laboratoire) depuis le 21-09-2016 .


  • Résumé

    Ce travail de thèse se propose de mettre au point une expérience d'EBIC (Electron Beam Induced Current) à basse température (77K, la température de fonctionnement typique de ces photodiodes IR). La finalité est ici l'observation des propriétés du matériau utilisé pour la détection (HgCdTe, InSb, ou autre) à proximité de la jonction utilisant la grande résolution spatiale d'un microscope électronique à balayage. A titre d'exemple la géométrie de la jonction de diodes très petit pas pixel est une donnée de première importance pour la conception des futurs plans focaux par Sofradir. Par ailleurs l'accès à une cartographie de la durée de vie des porteurs de charge autour d'une photodiode serait d'un intérêt capital pour la compréhension des défauts matériaux et de leur influence sur les performances des photodiodes.

  • Titre traduit

    Electron-beam-induced current (EBIC) characterization at low temperature of 3rd generation IR detectors.


  • Résumé

    This work is focused on the development of a low temperature (77K, the usual operating temperature of most IR detectors) EBIC test bench (Electron Beam Induced Current). The idea is the spatial mapping of electrical properties of the detection material (HgCdTe, InSb or else) close to the pn junction used to form the photodiode using the high spatial resolution of a scanning electron microscope. As an example of application, we can mention that the investigation of the space charge region geometry for ultra-fine pixel pitch detectors will be a key information for the development of next generation focal plane arrays at Sofradir. Moreover, having access to a space mapping of carrier lifetime around a photodiode will be of first importance to better understand the effect of material defects on photodiodes performances.