Intégration hétérogène de GaAs sur Si à partir de nano-germes : étude de la nucléation et de la croissance de micro-cristaux sur substrats Si (001) et (111)

par Marie Coste

Projet de thèse en Electronique et Optoélectronique, Nano- et Microtechnologies

Sous la direction de Daniel Bouchier et de Charles Renard.

Thèses en préparation à Paris Saclay , dans le cadre de Electrical,Optical,Bio: PHYSICS_AND_ENGINEERING , en partenariat avec Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies (laboratoire) , Nanoélectronique (equipe de recherche) et de Université Paris-Sud (établissement de préparation de la thèse) depuis le 01-11-2015 .


  • Résumé

    Intégration hétérogène de GaAs sur Si à partir de nano-germes sur Si (001) et (111)

  • Titre traduit

    Heterogeneous integration of GaAs on Si from nano-seeds:study of nucleation and micro-crystals growth on (001) and (111) Si substrates


  • Résumé

    Heterogeneous integration of GaAs on Si from nano-seeds on (001) and (111) Si substrates