Réalisation et caractérisation de Tun-FETs à base de nanofils GeSn à grille enrobante pour des applications très basse consommation

par Thibault Haffner

Projet de thèse en Nano electronique et nano technologies

Sous la direction de Bassem Salem et de Gérard Ghibaudo.

Thèses en préparation à Grenoble Alpes , dans le cadre de École doctorale électronique, électrotechnique, automatique, traitement du signal (Grenoble) , en partenariat avec Laboratoire des Technologies de la Microélectronique (laboratoire) depuis le 03-10-2016 .


  • Résumé

    Ce projet de thèse a pour but de développer et de réaliser un transistor dit "Tunnel-FET" hautes performances et basse consommation. Pour ce faire, nous avons choisi de nous concentrer sur les structures dites "nanofils" et de concevoir un transistor à grille enrobante, ceci permettra d'obtenir une structure quasi idéal d'un point de vue électrostatique. Avec cela nous tenterons de réaliser ces nanofils avec un alliage de Ge-Sn, en effet de récentes recherches ont démontrés qu'à une certaine concentration d'étain, cet alliage permet d'obtenir un gap de faible énergie et qui présente la particularité d'être direct. Cette structure comporterait alors tout les avantages pour devenir un transistor à très haute performances.

  • Titre traduit

    Elaboration, characterisation and integration of GeSn nanowires for nanoelectronic devices.


  • Résumé

    This thesis project has for goal to develop and realise a "Tunnel-FET" transistor with high performances and with a low energie consumption. Thus, we choosed to focus on structurs said "nanowires" and to design a transistor with an all-around grid which will allow to obtain an almost perfect structur in a electrostatic point of view. With this, we'll try to creat these nanowires with a GeSn alloy. Indeed, recent research show that in a good concentration of Sn, this alloy is a semiconductor with a low energy gap with the particularity to be direct. This structur will have all the advantages to becom a very high performances transistor