Simulation Atomistique pour procédés de gravure plasma avancés : Application à la gravure ONO des produits mémoires Flash

par Florian Pinzan

Projet de thèse en Nano electronique et nano technologies

Sous la direction de Emilie Despiau-pujo.

Thèses en préparation à Grenoble Alpes , dans le cadre de École doctorale électronique, électrotechnique, automatique, traitement du signal (Grenoble) , en partenariat avec Laboratoire des Technologies de la Microélectronique (laboratoire) depuis le 17-04-2017 .


  • Résumé

    Utilisé dans les étapes de la fabrication des mémoires flash, la gravure ONO, diélectrique inter polysilicium, consiste à graver un empilement de couches avec une précision nanométrique (ex : Un oxyde de 36 A avec arrêt sur nitrure, puis un nitrure de 42 A avec arrêt sur oxyde, et enfin 40 A d'une de couche de 100 A d'oxyde). Le but de cette thèse consistera à modéliser et simuler la gravure de ces matériaux par un nouveau concept de gravure plasma, appelé « Smart-Etch ». Ces recherches, réalisées à l'aide de simulations numériques de type dynamique moléculaire, permettront de mieux comprendre les processus mis en jeu et de mieux contrôler la gravure des diélectriques fins.

  • Titre traduit

    Advanced plasma etching process study perfomed by Atomistic Simulation : Application to Flash memories' ONO layer etching


  • Résumé

    Used in Flash memories manufacturing process, ONO etching consists of the nanometric precission etching of an inter-silicon dielectrics layers stack (ex : 36 A oxyde layer with nitride stop, then 42 A nitride layer with oxyde stop, to end with 40 A of a 100 A oxyde layer). This Thesis aim to study the «Smart-Etch »-called new plasma etching concept by modelizing and simulating it. Performed by molecular dynamics, this computer-science study will lead to a better understanding and control of dielectric thin layer etching.