Modélisation et caractérisation des structures HEMT à base de BAlGaN/GaN et application à la réalisation de transistors tests

par Vinod Ravindran

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de Abdallah Ougazzaden.

Thèses en préparation à l'Université de Lorraine , dans le cadre de Energie, Mécanique, Matériaux , en partenariat avec Laboratoire matériaux optiques, photonique et systèmes (equipe de recherche) depuis le 10-12-2007 .


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