Etude de la gravure plasma des empilements à base de GST pour les mémoires à changement de phases embarquées dans la technologie 28 nm

par Yann Canvel

Projet de thèse en Nano electronique et nano technologies

Sous la direction de Nicolas Possémé.

Thèses en préparation à Grenoble Alpes , dans le cadre de École doctorale électronique, électrotechnique, automatique, traitement du signal (Grenoble) , en partenariat avec CEA/LETI (laboratoire) depuis le 16-01-2017 .


  • Résumé

    Les Mémoires à Changement de Phase (PCM) sont considérées comme la solution de pointe pour la future génération de mémoires non-volatiles, grâce à leur non-volatilité, scalabilité, grande vitesse de lecture et d'écriture et cyclabilité élevée. L'introduction des mémoires à changement de phase en 28 nm représente une évolution majeure dans les technologies eNVM. La gravure par plasma du matériau GeSbTe (GST) au niveau Metal0 s'avère un point critique du procédé de fabrication de ses mémoires. Il convient, afin de satisfaire aux exigences des dispositifs de ST, de comprendre les mécanismes et les limitations du procédé actuel, de caractériser l'évolution au cours de la gravure puis de proposer et évaluer des solutions industrialisables pour cette étape.

  • Titre traduit

    Plasma etching study in the GST-based stacking for Phase-change memories used in the 28nm technology.


  • Résumé

    Phase-change Memories (PCM) are considered as the best candidate for the future generation of non-volatile memories. The non-volatility, scalability, lecture/write high speed and known cyclability are the main properties of this device. The introduction of PCM on 28nm process represents a major evolution in the eNVM technologies. The plasma etching for GST material at the M0 level is a critical point in the manufacturing process. In order to fit with the process made by ST, we need to understand more deeply the actual etching mechanism, evaluate the evolution during the etching process, then suggest some performing industrial solutions so as to optimize the etching step.