Migration sous faisceau d'ions de dopants du CdHgTe pour l'applications à la formation de jonction p-n

par Florian Chazot

Projet de thèse en Physique de la Matière Condensée et du Rayonnement

Sous la direction de Denis (phys) Jalabert et de Marc Veillerot.

Thèses en préparation à Grenoble Alpes , dans le cadre de École doctorale physique (Grenoble) , en partenariat avec CEA Grenoble-LETI (laboratoire) depuis le 01-01-2017 .


  • Résumé

    Le matériau CdHgTe présente la caractéristique, peu courante dans le monde des semi-conducteurs, d'être sensible aux faisceaux d'ions. Ce sujet de thèse propose d'étudier cette sensibilité dans le cas particulier de la migration sous faisceau d'ions de dopants du CdHgTe. Cet effet, mis en évidence pour certains dopants, présente un intérêt technologique majeur puisqu'il pourrait permettre d'ajuster finement le profil des jonctions p-n. Cette jonction est le cœur du détecteur et la maîtrise de sa formation est fondamentale pour la réalisation des photodiodes infrarouge à très haut niveau de performance. L'étudiant aura à charge de créer et de caractériser la migration sous faisceau des dopants du CdHgTe. Pour cela, il aura accès à une vaste gamme de sources de faisceau d'ions disponibles au DOPT et sur la plateforme de nano-caractérisation (PFNC) du CEA Minatec (usineur ionique, Spectromètre de Masse d'Ions Secondaire SIMS implantation ionique, Spectroscopie de Rétrodiffusion Rutherford). Le Sims étant à la fois une source de faisceau d'ions et un moyen de suivre les dopants dans du CdHgTe, c'est un outil qui occupera une place privilégié dans cette thèse.

  • Titre traduit

    Ion-beam migration of HgCdTe dopants for applications to p-n junction formation


  • Résumé

    The HgCdTe material has the characteristic, uncommon in the world of semiconductors, of being sensitive to ions beam. This thesis proposes to study this sensitivity in the particular case of the ion beam migration of CdHgTe dopants. This effect, highlighted for certain dopants, is of major technological interest since it could make it possible to finely adjust the profile of the p-n junctions. This junction is the heart of the detector and the control of its formation is fundamental for the realization of infrared photodiodes with very high level of performance. The student will be responsible for creating and characterizing the beam migration of CdHgTe dopants. To do this, it will have access to a wide range of ion beam sources available at DOPT and on the nano-characterization platform (PFNC) of the CEA Minatec (secondary ion mass spectrometer SIMS, Ion implantation, Spectroscopy Of Rutherford). The SIMS being both an ion beam source and a means to follow the dopants in HgCdTe, it is a tool that will occupy a privileged place in this thesis.