Transistors MOS en diamant pour l'électronique de puissance

par Cédric Masante

Projet de thèse en Nano electronique et nano technologies

Sous la direction de Julien Pernot et de Nicolas Rouger.

Thèses en préparation à Grenoble Alpes , dans le cadre de Electronique, Electrotechnique, Automatique, Traitement du Signal (EEATS) , en partenariat avec Institut Néel (laboratoire) depuis le 01-10-2016 .


  • Résumé

    Le sujet proposé porte sur la compréhension des mécanismes de contrôle de la population des porteurs libres dans la couche dopée au bore de type P de diamant ou a l'interface entre le diamant et l'oxyde (Al2O3) déposée par Atomic Layer Deposition (ALD). Les nombreux états d'interface limitent aujourd'hui le fonctionnement de MOSFET diamant travaillant en inversion. Grâce aux avancées importantes réalisées durant les deux dernières thèses Néel-G2ELab, il est aujourd'hui possible de développer les procédés de fabrication nécessaire pour la mise en oeuvre de ce phénomène. L'idée principale de cette thèse est de développer le transistor, en rupture avec les architectures traditionnelles, qui exploitera au mieux les propriétés du diamant en s'appuyant sur les connaissances approfondies récemment accumulées.

  • Titre traduit

    Diamond MOSFET transistor for power electronics


  • Résumé

    The proposed subject concerns the understanding of the mechanisms controlling the population of free carriers in the boron doped P-diamond layer at the interface between the diamond and the oxide (Al2O3) deposited by Atomic Layer Deposition (ALD ). The many interface states now restrict the operation of diamond MOSFET working in inversion. With significant advances in the last two Neel-G2ELab theses, it is now possible to develop the manufacturing processes necessary to achieve inversion. The main idea of this thesis is to develop the transistor, breaking with traditional architectures, which will exploit at best the diamond properties based on the recently accumulated extensive knowledge.