Développement de cellules élémentaires radiofréquences ultra faible consommation en technologie FDSOI pour des applications liées à l'internet des objets.

par Jing Liu

Projet de thèse en Nano electronique et nano technologies

Sous la direction de Sylvain Bourdel et de Estelle Lauga-larroze.

Thèses en préparation à Grenoble Alpes , dans le cadre de École doctorale électronique, électrotechnique, automatique, traitement du signal (Grenoble) , en partenariat avec Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'hyperfréquences et de caractérisation (laboratoire) depuis le 01-10-2015 .


  • Résumé

    L'objectif de ce stage est d'étudier de nouvelles architectures de circuits RF qui pourrait tirer un avantage de la technologie FDSOI. En particulier, la variation possible de la tension de seuil permettant de rendre le transistor performant soit au niveau de sa fréquence de transition, soit au niveau de sa consommation ouvre de nouvelles perspectives en termes d'innovation et de fonctionnalité. Dans un premier lieu on s'attachera à faire un état des lieux des circuits déjà proposés en FDSOI pour les applications RF à 2.45GHz. Les performances des circuits seront comparées au regard de leur consommation. Dans un deuxième temps, la technologie FDSOI 28nm sera étudiée sur la base du design KIT de STMicroelectronics avec le logiciel CADENCE. Les performances intrinsèques des transistors en fonction de la tension de grille arrière (permettant de faire varier le VT) seront évaluées. Enfin, sur la base des deux premières études, un circuit de test sera conçu. Les performances en termes de consommation seront un objectif majeur de la conception. Une fois la conception du circuit sur le plan électrique validée, le dessin des masques sera abordé. Cette étape permettra de mettre en évidence les contraintes et la spécificité de la technologie FDSOI au niveau du LAYOUT.

  • Titre traduit

    Design of ultra low power RF cells in FDSOI technology for internet of things


  • Résumé

    The objective of this course is to explore new architectures RF circuits that could take advantage of the FDSOI technology. In particular, the possible variation of the threshold voltage to make the transistor performance is at its transition frequency, either at its consumption opens up new possibilities in terms of innovation and functionality. In the first place we will focus on making an inventory of already proposed in FDSOI for RF applications at 2.45GHz circuits. The circuit performance will be compared in terms of their consumption. Secondly, the 28nm FDSOI technology will be studied based on the design of STMicroelectronics with the KIT CADENCE software. The intrinsic performance of the transistors based on the back gate voltage (for varying the VT) will be evaluated. Finally, based on the first two studies, a test circuit is designed. Performance in terms of consumption will be a major objective of the design. Once the circuit design of electrically enabled, the mask design will be discussed. This will help to highlight the constraints and the specificity of the FDSOI technology at the LAYOUT.