Corrélation luminescence/défauts étendus dans des structures à QWs InGaAs / Si patterné pour applications FinFET

par Joyce Roque

Projet de thèse en Nanophysique

Sous la direction de François Bertin et de Névine Rochat.

Thèses en préparation à Grenoble Alpes , dans le cadre de Physique , en partenariat avec Laboratoire des Technologies de la Microélectronique (laboratoire) depuis le 22-09-2015 .


  • Résumé

    L'intégration des matériaux III-V épitaxiés sur substrats Si(100) pour des applications nanoélectroniques (transistors à haute mobilité de type FinFET à canal InGaAs) est largement conditionnée par l'obtention de matériaux de bonne qualité. Ce travail se situe dans le domaine de la nanocaractérisation des défauts étendus des matériaux III-V épitaxiés sur Si. L'objectif est de mieux comprendre l'état des couches III-V en corrélant les propriétés électroniques et structurales obtenues spatialement par cathodoluminescence et par microscopie électronique en transmission sur des structures à puits quantiques d'InGaAs épitaxiées sélectivement par MOCVD dans des cavités d'oxyde. L'originalité de ce travail consistera à corréler spatialement et avec une résolution nanométrique des caractérisations structurales, chimiques et électroniques pour évaluer et comprendre l'impact du substrat de silicium sur des couches III-V épitaxiées en vue d'une intégration de transistor.

  • Titre traduit

    Correlation of luminescence/defects extended in InGaAs QWs structures on Si patterned for FinFET applications


  • Résumé

    The integration of III-V materials grown on substrates Si (100) for nanoelectronic applications (high-mobility transistors FinFET-type InGaAs channel) is largely conditioned by obtaining good quality materials. This work is in the field of nano-characterization of extended defects of III-V materials grown on Si. The goal is to better understand the state of III-V layers correlating electronic and structural properties obtained by spatially correlate cathodoluminescence and transmission electron microscopy of epitaxial quantum well structures as InGaAs selectively growth by MOCVD in oxide cavities. The originality of this work is to correlate spatially with nanometer resolution and structural, chemical and electronic characterizations to assess and understand the impact of the silicon substrate on III-V epitaxial layers for a transistor integration.