Dépôts sélectifs d'oxydes de TiO2 et de Ta2O5 par ajout d'un plasma de gravure dans un procédé PEALD pour application aux mémoires résistives

par Rémi Vallat

Projet de thèse en Nano electronique et nano technologies

Sous la direction de Christophe Vallee.

Thèses en préparation à Grenoble Alpes , dans le cadre de Electronique, Electrotechnique, Automatique, Traitement du Signal (EEATS) , en partenariat avec Laboratoire des Technologies de la Microélectronique (laboratoire) depuis le 01-01-2015 .


  • Résumé

    Développement de procédés de dépôts PEALD d'oxyde pour application RRAM. Développement de procédés de dépôts sélectif en ajoutant un plasma de gravure dans les procédés PEALD développés. Etude de l'impact du type de procédé utilisé (PEALD ou sélectif) sur les propriétés structurales et électriques des oxydes déposés. Procédé sélectif testé sur structures 2D et 3D.

  • Titre traduit

    Selective deposition of TiO2 and Ta2O5 by adding plasma etching in PEALD process for resistive memories


  • Résumé

    Development of oxide deposition processes in PEALD for RRAM application. Development of selective deposition by adding plasma etching in PEALD process. Impact of process used (PEALD or selective) on structural and electrical properties for layer deposited. Selective deposition is tested on 2D and 3D structures.