Investigations structurales haute-résolution de photodiodes infrarouges de nouvelle génération

par Aymeric Tuaz-Torchon (Tuaz)

Projet de thèse en Nanophysique

Sous la direction de François (phys) Rieutord et de Philippe Ballet.

Thèses en préparation à Grenoble Alpes , dans le cadre de Physique , en partenariat avec Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (LETI - CEA) (laboratoire) depuis le 20-10-2014 .


  • Résumé

    Cette thèse concerne le domaine des détecteurs infrarouges HgCdTe utilisés pour la vision nocturne, pour lequel le Laboratoire Infrarouge du CEA-Leti-Minatec est un des leaders mondiaux. L'étudiant participera à l'élaboration complète d'un détecteur bi-spectral permettant de détecter simultanément plusieurs parties du spectre IR. La zone active est une superposition de couches nanométriques dopées lors de la croissance par épitaxie par jets moléculaires, qui est ensuite subdivisée en matrices de photodiodes de taille micrométrique par gravure avant passivation. Des techniques d'investigation tout à fait spécifiques et extrêmement sensibles, utilisant le rayonnement synchrotron et les faisceaux d'ions, seront utilisées pour étudier ces structures et déterminer les propriétés locales des matériaux processés. Notamment, l'environnement immédiat des dopants, les contraintes liées à la gravure et les déplacements atomiques induits par les procédés de fabrication seront déterminés.

  • Titre traduit

    High-resolution structural investigation of next generation infrared detectors


  • Résumé

    This thesis concerns the field of HgCdTe infrared detectors for night vision, for which the Infrared Laboratory of CEA -Leti - Minatec is a world leader. The student will participate in the full development of a dual-band detector that simultaneously detects several parts of the infrared spectrum. The active area is a superposition of nanometric layers doped during growth by molecular beam epitaxy, which is then subdivided into photodiode arrays of micrometer size by etching before passivation. Very specific and extremely sensitive investigation techniques, using synchrotron radiation and ion beams will be used to study these structures and determine the local properties of processed materials. In particular, the immediate environment of dopants, local strain generated by etching and atomic displacements induced by the manufacturing process will be determined.