Résultats 1 à 10

Dates de soutenance :


Etablissements :

Valider et fermer
  • Grenoble Alpes (6)
  • Bordeaux (3)
  • Aix-Marseille (2)
  • Lyon, INSA (2)
  • Paris Saclay (2)
  • CentraleSupélec (1)
  • Lyon (1)
  • Montpellier 2 (1)
  • Paris, ENST (1)
  • Toulouse, INSA (1)
  • Université Aristote (Thessalonique, Grèce) (1)

Etablissements :

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Disciplines :

Valider et fermer
  • Electronique (3)
  • Nano electronique et nano technologies (3)
  • Nanoélectronique et nanotechnologie (2)
  • Electronique (STIC) (1)
  • Electronique et Optoélectronique, Nano- et Microtechnologies (1)
  • Electronique et communications (1)
  • Energie et systèmes (1)
  • Génie électrique (1)
  • Micro et Nanosystèmes (1)
  • Microélectronique (1)
  • Nanophysique (1)
  • Réseaux, information et communications (1)
  • Sciences pour l'ingénieur. Micro et nanoélectronique (1)
  • Sciences pour l'ingénieur: mécanique, physique, micro et nanoélectronique (1)
  • Systèmes automatiques et microélectroniques (1)

Disciplines :

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Ecoles Doctorales :

Valider et fermer
  • École doctorale électronique, électrotechnique, automatique, traitement du signal (Grenoble) (4)
  • École doctorale des sciences physiques et de l’ingénieur (Talence, Gironde) (3)
  • Ecole Doctorale Sciences pour l'Ingénieur : Mécanique, Physique, Micro et Nanoélectronique (Marseille) (2)
  • École doctorale Électronique, électrotechnique, automatique (Lyon) (2)
  • Ecole doctorale Sciences et Technologies de l'Information, des Télécommunications et des Systèmes (Orsay, Essonne ; 2000-2015) (1)
  • Electronique, Electrotechnique, Automatique, Traitement du Signal (EEATS) (1)
  • Information, Structures, Systèmes (Montpellier ; École Doctorale ; 2009-2014) (1)
  • École doctorale Electrical, optical, bio-physics and engineering (Orsay, Essonne ; 2015-....) (1)
  • École doctorale Génie électrique, électronique et télécommunications (Toulouse) (1)
  • École doctorale Informatique, télécommunications et électronique (Paris) (1)
  • École doctorale Sciences Ingénierie Santé (Saint-Etienne) (1)
  • École doctorale Sciences et technologies de l'information et de la communication (Orsay, Essonne ; 2015-....) (1)
  • École doctorale physique (Grenoble) (1)

Ecoles Doctorales :

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Langues :

Valider et fermer
  • français (12)
  • anglais (11)

Langues :

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Directeurs de thèse :

Valider et fermer
  • Deval Yann (3)
  • Allard Bruno (2)
  • Bravaix Alain (2)
  • Bénabes Philippe (2)
  • Alves de Barros Lirida (1)
  • Anghel Lorena (1)
  • Barraud Sylvain (1)
  • Benech Philippe (1)
  • Cathelin Andreia (1)
  • Clermidy Fabien (1)
  • Cristiano Filadelfo (1)
  • Desgreys Patricia (1)
  • Ghibaudo Gérard (1)
  • Huard Vincent (1)
  • Jourlin Yves (1)
  • Larrieu Guilhem (1)
  • Lauga-larroze Estelle (1)
  • Morche Dominique (1)
  • Rivet François (1)
  • Sanquer Marc (1)
  • Sassatelli Gilles (1)
  • Torres Lionel (1)
  • Zhao Weisheng (1)

Directeurs de thèse :

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Domaines :

Valider et fermer
  • Sciences de l'ingénieur (17)
  • Physique (6)

Domaines :

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20 thèses pour "28 nm FDSOI CMOS"

...regulators in 28nm FDSOI CMOS Contribution à la conception de régulateurs de tension à capacités commutées...

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......................................................................................................... 104 2. Dimensionnement et avantages liés de la technologie 28 nm FDSOI CMOS...

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...behavior of the 28 nm FDSOI CMOS technology.Keywords Time-domain, CMOS, FDSOI, Voltage...

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Systèmes automatiques et microélectroniques

Soutenue le 12-12-2014
thèse soutenue
Réseaux, information et communications

Soutenue le 09-11-2018
thèse soutenue

...carried out in28nm FDSOI CMOS technology. With a fraction of thepower and die area of that of the MP a...

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Nano electronique et nano technologies

Soutenue le 04-10-2019
 thèse en cours de préparation
Electronique

Soutenue le 06-12-2016
thèse soutenue

...Walsh transmitter was built using 28nm FDSOI CMOS of ST-Microelectronics. The sizing of the...

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...or written. By using the MTJ model with modified parameters and the STMicroelectronics 28 nm FDSOI...

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...]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 583.4 High frequency behavior (fT and fmax) of LVT NMOS with 0.5µm/30nmfinger size in 28nm FDSOI CMOS...

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