Impact des défauts structurels sur le transport tunnel polarisé en spin caractérisé par excitation optique

Probing the impact of structural defects on spin dependent tunneling using photons

• Auteur / Autrice : Ufuk Halisdemir
• Direction : Samy Boukari
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Physique
• Date : Soutenance le 09/11/2016
• Etablissement(s) : Strasbourg
• Ecole(s) doctorale(s) : École doctorale Physique et chimie-physique (Strasbourg ; 1994-....)
• Partenaire(s) de recherche : Laboratoire : Institut de physique et chimie des matériaux (Strasbourg)
• Jury : Président / Présidente : Philippe Turek
• Jury : Examinateurs / Examinatrices : Michel Hehn, Martin Bowen
• Jury : Rapporteurs / Rapporteuses : Gertjan Koster, Andy Thomas

Mots clés

Mots clés contrôlés

Photoluminescence

Spintronique

Magnétorésistance

Effet tunnel

Mots clés libres

Spintronique

TMR

Jonctions tunnels magnétiques

Défauts

États localisés

Photoluminescence

Spintronic

TMR

Magnetic tunnel junctions

Defects

Localized states

Photoluminescence

Résumé

L’étude de l’impact des défauts sur les propriétés électriques des semi-conducteurs a joué un rôle crucial dans la révolution des technologies de l’information dans le milieu du 20ème siècle. Jusqu’ici, la course à la miniaturisation a permis de répondre à la demande croissante en termes de puissance de calcul. Cependant, cette stratégie est vouée à rencontrer des limites physiques qu’il ne sera pas possible de surpasser, c’est pourquoi de nouvelles approches sont nécessaire. Dans ce nouveau paradigme de recherche, les dispositifs électroniques à base d’oxydes sont des candidats prometteurs afin de réaliser de nouveaux dispositifs multifonctionnels. L’importance des défauts sur les propriétés nominale des oxydes n’est pas autant reconnue que dans le domaine des semi-conducteurs. Notre projet de recherche tourne autour de deux objectifs principaux, le premier a pour but d’identifier explicitement l’impact de défauts spécifiques sur les propriétés électrique de dispositifs à base d’oxydes. Le second a pour but de tirer avantage des propriétés induites pour les défauts pour des applications optoélectroniques.

The study of the impact of defects on the electrical properties of semiconductors played a crucial role in the revolution of information technologies in the middle of the 20th century. Up to now, the race to miniaturization allowed to meet the increasing demand in terms of processing power. However, this strategy is predicted to encounter physical limits impossible to overcome and new approaches are necessary. Within this new research paradigm, oxide based electronic devices are promising candidates to fabricate new multifunctional devices. The importance of defects on the nominal properties of oxides is not acknowledged as much as it is in the field of semiconductors. Our research project revolved around two primary objectives, the first one aimed to explicitly identify the impact of specific defects on the properties of oxide-based electronic devices. The second one aimed to actually take advantage of properties induced by defects for optoelectronic applications.