Thèse soutenue

Développement de nouvelles sources laser à base de matériaux dopés par des ions ytterbium émettant vers 976 nm

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Auteur / Autrice : Aude Bouchier
Direction : Patrick Georges
Type : Thèse de doctorat
Discipline(s) : Physique
Date : Soutenance en 2005
Etablissement(s) : Paris 11
Partenaire(s) de recherche : autre partenaire : Université de Paris-Sud. Faculté des sciences d'Orsay (Essonne)

Résumé

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Les sources laser emettant autour de 976 nm sont necessaires dans les telecommunications optiques pour le pompage des amplificateurs a fibre dopee par des ions erbium, ou pour realiser une source a 488 nm apres une conversion non lineaire. Les sources monomodes transverses avaient au debut de ma these des puissances limitees a 1 w. De plus fortes puissances etaient demandees. Nous avons etudie des sources basees sur les materiaux dopes par des ions ytterbium, qui presentent une importante section efficace d'emission autour de 976 nm. Mais l'absorption a 976 nm est tres forte, liee au caractere trois niveaux de la transition, necessitant un pompage a 915 nm intense pour obtenir la transparence a 976 nm. Deux solutions ont ete testees. Les fibres monomodes dopees par des ions ytterbium nous ont permis de developper differentes sources, dont un laser affine spectralement tres efficace (72 %), qui a servi a realiser une source a 488 nm par doublement de frequence dans un guide d'onde non lineaire en niobate de lithium polarise periodiquement, avec une efficacite de conversion de 26 %. Nous avons aussi etudie l'amplification d'une diode laser impulsionnelle a 976 nm dans ces fibres, et realise le doublement de la frequence de cette source avec une efficacite de 34 %. Pour dimensionner les fibres utilisees, nous avons simule la propagation des faisceaux dans ces fibres. Nous avons etudie egalement le potentiel des cristaux de yb:ky(wo4)2. Ils ont montre un fort gain a 981 nm avec un pompage par un laser a saphir dope au titane a 931 nm. L'intensite des diodes laser a 931 nm actuelles est limitee, interdisant le pompage par diode de ces cristaux.