Effets des ions lourds energetiques sur les circuits integres : application au cas de circuits mos, mos sur isolants et gaas

Energetic heavy ions effects on microelectronic. An application to mos, mos on insulators and gaas technologies

• Auteur / Autrice : OLIVIER MUSSEAU
• Direction : René Castagné
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Sciences appliquées
• Date : Soutenance en 1991
• Etablissement(s) : Paris 11

Résumé

Les ions lourds energetiques des rayons cosmiques peuvent induire individuellement des defauts de fonctionnement dans les composants electroniques embarques sur satellites. Ce travail s'interesse aux pertes d'information (aleas logiques) resultant de la collection des charges excedentaires injectees par les ions incidents. Des circuits de complexite croissante, depuis des structures elementaires (diodes, transistors, capacites) jusqu'a des memoires et microprocesseurs en technologies cmos et cmos sur isolants, ont ete irradies au moyen de sources radioactives ou aupres d'accelerateurs de particules. Pour mieux comprendre les mecanismes de collection de charge, ces resultats experimentaux sont completes par des modelisations et simulations numeriques etudiant le comportement transitoire, physique et electrique, de structures simples. L'analyse de circuits complexes met en evidence plusieurs niveaux de sensibilite et ouvre la voie a des methodes de conception et de fabrication durcies