Cristallisation thermique en phase solide du silicium amorphe, depose par lpcvd : effet de la nature du substrat

Solid phase thermal crystallisation of lpcvd silicon films: substrate effect on the kinetic

• Auteur / Autrice : Mohammed Guendouz
• Direction : Pierre Joubert
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Physique
• Date : Soutenance en 1990
• Etablissement(s) : Rennes 1

Résumé

L'etude porte principalement sur l'analyse des mecanismes de cristallisation en phase solide, a 600#oc, du silicium amorphe non dope et depose par lpcvd et les effets du substrat sur cette cristallisation. Apres un rappel de la theorie classique de la germination et la modelisation des differents modes de croissance des grains, la cinetique de cristallisation sur un substrat de verre, determinee par d. R. X. Et m. E. T. , est presentee. Le mode de cristallisation (germination a l'interface, croissance tri-dimensionnelle des grains,. . . ) ainsi que les parametres de cette cristallisation (taux de germination, vitesse de cristallisation,. . . ) en sont deduits. D'autre part, ce travail montre que la cristallisation n'est pas independante de la nature chimique du substrat. Si l'effet sur le silicium depose par lpcvd reste limite a un rapport de taux de germination de 2,5 entre les deux substrats (ito et verre) qui donnent les resultats les plus differents, il n'en est pas de meme pour les couches deposees par pecvd ou la germination est tres rapide sur ito et tres lente sur verre, entrainant des modes de croissance bi-dimensionnelle. Enfin, une etude comparative des resultats electriques sur des transistors en couches minces realises soit avec du silicium depose sous forme cristalline, soit avec du silicium amorphe cristallise thermiquement, est presentee