Couches de dioxyde de silicium obtenues par dépôt chimique à partir d'une phase gazeuse (C. V. D. ) : élaboration et caractérisation

Silicon dioxide films obtained by chemical vapor deposition (c. V. D. ) : elaboration and characterization

• Auteur / Autrice : Mustapha Lemiti
• Direction : Pierre Pinard
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Sciences. Electronique
• Date : Soutenance en 1985
• Etablissement(s) : Lyon 1
• Partenaire(s) de recherche : Laboratoire : LPM - Laboratoire de Physique de la Matière
• Partenaire(s) de recherche : autre partenaire : Institut national des sciences appliquées (Lyon ; 1957-....)

Mots clés

Mots clés contrôlés

Dépôt chimique en phase vapeur

Oxydation

Silice

Mots clés libres

Physique

Sciences des matériaux, rhéologie

Dépot chimique phase vapeur

Oxydation

étude expérimentale

Croissance cristalline

Composé minéral

Caractérisation

Ellipsométrie

Spectrométrie Auger

Spectre Raman

Décharge luminescente

Stœchiométrie

Distribution concentration

Structure MOS

Liaison chimique

Couche mince

état électronique interface

Caractéristique courant tension

Silicium IV oxyde

Chemical vapor deposition

Oxidation

Experimental study

Crystal growth

Inorganic compound

Characterization

Ellipsometry

Auger electron spectrometry

Raman spectrum

Glow discharge

Stoichiometry

Concentration distribution

MOS structure

Chemical bond

Thin film

Interface electron state

Voltage current curve

Silicon iv oxides

Résumé

Nous avons mis au point un dispositif permettant d'élaborer des couches de SiO₂ à partir d'une phase gazeuse (C. V. D. ). Le procédé consiste à hydrolyser un composé halogéné (SiCl₄) par de la vapeur d'eau, au voisinage d'un substrat de silicium suivant la réaction : SiC1₄+ 2H₂0 -> Si0₂ + 4HC1. Les dépôts ont été réalisés essentiellement à température ambiante. L'influence des paramètres expérimentaux sur la cinétique de dépôt a été; étudiée. L'analyse physico-chimique des couches ainsi obtenues (ellipsométrie, Raman, Auger, décharge luminescente) nous a renseigné sur la nature des liaisons, la stœchiométrie et le profil des impuretés dans la couche. Après optimisation des paramètres, des structures MOS ont été réalisées pour étudier les défauts électriquement actifs dans l'oxyde et à l'interface Si-Si0₂. Par les méthodes classiques (C(V), G(V), I(V), C(ω,T), G(ω,T), nous avons évalué la densité d'états d'interface qui varie autour de 10¹¹ eV⁻¹ cm⁻² et les charges dans l'oxyde à 10¹² ch. /cm. L'influence de certains paramètres expérimentaux sur les propriétés électriques des structures MOS a été dégagée.