3C-SiC  4H-SiC  Ablation  Adhérence  AlGaN  Amplificateurs haute fréquence  Briques technologiques  Calixarènes  Capacité MOS  Caractérisation électriques  Caractérisations Physico-chimiques  Carbure de Silicium  Carbure de silicium  Carbure de titane  Carbure de titane  Cathodes  Cathodes froides GaN  Cellules solaires  Charge et distribution électriques  Chimie de coordination  Chimie des surfaces  Chimie d’interface  Chimie supramoléculaire  Circuits intégrés -- Passivation  Complexes moléculaires  Complexes métalliques  Composite à matrice métallique  Composites à matrice métallique  Composés complexes  Composés de coordination  Contact Métal - Semiconducteur  Contact ohmique  Contacts métal-semiconducteur  Convertisseurs électriques  Couches  Couches minces  Couches minces semiconductrices  Cristallisation  Cristallographie  Croissance Epitaxiale  Cuo  Cycle d’hystérésis  Diamant  Diode  Diodes  Diodes à barrière de Schottky  Diodes électroluminescentes  Dopage Mg  Dopage p  Dopage p++ Al  Durée de vie  Déphasage micro-Ondes  Dépôt chimique en phase vapeur  Dépôt en phase vapeur par organométalliques  Dépôt par laser pulsé  Détecteurs de rayonnement ultraviolet  EOT  EPVOM  Electroniques de puissance  Epitaxie par jets moléculaires  Epitaxie sélective  GaAs  GaN  Gallium  Gan  GeH4  Germanium  Gravure  Hautes températures  Hetero-épitaxie  High Electron Mobility Transistors  High electron mobility transistors  Homoépitaxie  Hyperfréquences  Hétéroepitaxie  Hétérojonctions  Hétérostructures  Hétéroépitaxie  III-N  Impulsions laser ultra-brèves  InAlN  InGaN MQW  InGaN «semi-bulk»  InGaN/GaN  InP  Incorporation de Ge  Incubation  Indium  Instabilites électriques  Ions -- Implantation  Iridium  Irradiation  Jonction p-n  LED  Liquides  MIS  MOS complémentaires  MOVPE  Macles  Matériaux nanostructurés  Mesures microondes  Metal-Oxide-Semiconductor High electron mobility transistors  Microondes  Microscopie électronique  Microélectronique  Modules microélectroniques  Modèle mixte  Modélisations physiques  Mouillabilité  Mécanisme VLS  Mécanisme de croissance  Métallisation  Métaux 3d et 4f  Nanostructures  Nanoélectronique  Nitrure de Gallium  Nitrure de gallium  Nitrures  Nucléation assistée par polarisation  Oscillateurs à microondes  Oxydes  Oxydes cristallins  Oxydes fonctionnels  Oxydes “high-k”  PLD  Phase liquide  Photodiodes  Polymère  Polypropylène  Poudre d'acier  Poudres métalliques  Propriétés électriques  Protection périphérique  Puissance  Puits quantiques  Recuit post-dépôt  Redresseur Schottky  Rugosité  Résistance des matériaux  Résistance spécifique de contact  Semi-Conducteur  Semiconducteur III-V  Semiconducteurs -- Dopage  Semiconducteurs  Semiconducteurs nitrures  Semiconducteurs à grand gap  Semiconducteurs à large bande interdite  SiC  SiN-gate AlGaN/GaN HEMT  Silicium -- Substrats  Silicium  Substrat  Substrat de silicium  Synthèse  Titanate de strontium  Topographie multiéchelle  Traitement Laser femtoseconde  Traitement statistique  Traitements de surface  Transistors de puissance  Transistors à effet de champ  Transistors à effet de champ à dopage modulé  VLS  VLS localisée  Électricité -- Production -- Génération par conversion magnétohydrodynamique  Électronique de puissance  Énergie  Énergie solaire  Épitaxie  Épitaxie localisée  Épitaxie par faisceaux moléculaires  

Christian Brylinski a rédigé la thèse suivante :

Sciences des matériaux
Soutenue en 1991
Thèse soutenue


Christian Brylinski a dirigé les 7 thèses suivantes :


Christian Brylinski a été président de jury des 10 thèses suivantes :


Christian Brylinski a été rapporteur des 4 thèses suivantes :


Christian Brylinski a été membre de jury de la thèse suivante :