Jean-Guy Tartarin
Jean-Guy Tartarin a rédigé la thèse suivante :
Caracterisation et modelisation petit signal et en bruit des transistors bipolaires a heterojonction aux frequences micro-ondes
par Jean-Guy Tartarin sous la direction de Laurent Escotte - Toulouse 3
Sciences appliquées
Soutenue en 1997
Jean-Guy Tartarin a dirigé les 11 thèses suivantes :
Réalisation et optimisation de transistors HEMT GaN forte puissance et haute fréquence par technologie de transfert de couches sur substrat hôte
par Mahmoud Abou Daher sous la direction de Jean-Guy Tartarin et de Jean-Claude De Jaeger . - Toulouse 3
Electromagnétisme et Systèmes Haute Fréquence
Soutenue le 23-06-2020
Fabrication de transistors HEMTs AlGaN/GaN de haute fiabilité sur substrat free-standing GaN de haute qualité
par Mohamed Reda Irekti sous la direction de Jean-Claude De Jaeger , Jean-Guy Tartarin et de Marie Lesecq . - Lille 1
Micro et Nanotechnologies, Acoustique et Télécommunications
Soutenue le 19-12-2019
Conception de puces multi-fonctions MMIC GaN en bande Ka
par Boris Berthelot sous la direction de Jean-Guy Tartarin , Hassan Maher , Christophe Viallon et de François Boone . - Toulouse 3
Electromagnétisme et Système Haute Fréquence
Soutenue le 25-11-2019
Analyse et modélisation des mécanismes de dégradation de grille des transistors à haute mobilité électronique (HEMT) de type AlGaN/GaN
par Oana Lazar sous la direction de Jean-Guy Tartarin - Toulouse 3
Electromagnétisme et Systèmes Haute Fréquence
Soutenue le 22-11-2018
Contribution aux analyses de fiabilité des transistors HEMTs GaN : exploitation conjointe du modèle physique TCAD et des stress dynamiques HF pour l'analyse des mécanismes de dégradation
par Damien Saugnon sous la direction de Jean-Guy Tartarin et de François Boone . - Toulouse 3
Electromagnétisme et Systèmes Haute Fréquence
Soutenue le 18-10-2018
Analyse électrique et en bruit basse fréquence et haute-fréquence des technologies InAIN/GaN HEMTs en vue de la conception d'amplificateurs robustes faible bruit en bande Ka
par Séraphin Dieudonné Nsele sous la direction de Laurent Escotte et de Jean-Guy Tartarin . - Toulouse 3
Electromagnétisme et systèmes haute fréquence
Soutenue en 2014
Dedicated design of experiments and experimental diagnostic tools for accurate reliability investigations on AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs)
par Serge Karboyan sous la direction de Jean-Guy Tartarin - Toulouse 3
Microondes, électromagnétisme et optoélectronique
Soutenue en 2013
Fiabilité des dispositifs HEMT en technologie GaN
par Guilhem Astre sous la direction de Jean-Guy Tartarin - Toulouse 3
Micro-onde, électromagnétisme et opoélectronique
Soutenue en 2012
Etude du canal de propagation radio pour les systèmes embarqués sans fil automobile
par Mohamed Cheikh M'hand sous la direction de Jacques David et de Jean-Guy Tartarin . - Toulouse, INPT
Micro-Ondes, Electromagnétisme et Optoélectronique
Soutenue le 28-09-2010
De l’étude de bruit basse fréquence à la conception d’oscillateur en bande X à partir de transistor AlGaN/GaN HEMT
par Geoffroy Soubercaze-Pun sous la direction de Jean-Guy Tartarin - Toulouse 3
Micro-électronique
Soutenue en 2007
Conception de circuits MMIC BiCMOS SiGe appliqués à la synthèse de fréquence fractionnaire
par King-Wah Wong sous la direction de Jean-Guy Tartarin - Toulouse 3
Micro-électronique
Soutenue en 2003
Jean-Guy Tartarin a été président de jury de la thèse suivante :
Etude micro et nanostructurale des défaillances d'architectures microélectroniques en environnement humide
par Kokou Adokanou sous la direction de Karim Inal et de Pierre Montmitonnet . - Paris Sciences et Lettres (ComUE)
Mécanique numérique et Matériaux
Soutenue le 10-03-2017
Jean-Guy Tartarin a été rapporteur des 9 thèses suivantes :
Etude des bruits basse fréquence et des défauts électriquement actifs dans les détecteurs infrarouge refroidis
par Pierre Guinedor sous la direction de Daniel Bauza et de Laurent Rubaldo . - Université Grenoble Alpes (ComUE)
Nanoélectronique et nanotechnologie
Soutenue le 08-11-2019
Fonction normally-on, normally-off compatible de la technologie HEMT GaN pour des applications de puissance, hyperfréquences
par Linh Trinh Xuan sous la direction de Raymond Quéré et de Philippe Bouysse . - Limoges
Electronique des hautes fréquences, photonique et systèmes
Soutenue le 18-12-2018
Development of an Efficient Methodology for Modeling Parasitic Effects within a Broadband Test Circuit
par Kassem Hamze sous la direction de Philippe Descamps et de Daniel Pasquet . - Normandie
Electronique, microélectronique, optique et lasers, optoélectronique microondes
Soutenue le 06-11-2018
Etude des phénomènes de transport de porteurs et du bruit basse fréquence en fonction de la température dans les transistors FinFET et GAA NWFET sub-10 nm
par Dimitri Boudier sous la direction de Bogdan Mihail Cretu - Normandie
Electronique, microelectronique, optique et lasers, optoelectronique microondes
Soutenue le 30-08-2018
Caractérisation et modélisation du gaz 2D des dispositifs MIS-HEMTs sur GaN
par Iliass Nifa sous la direction de Edwige Bano , Gérard Ghibaudo et de Charles Leroux . - Université Grenoble Alpes (ComUE)
Nano electronique et nano technologies
Soutenue le 02-03-2018
Reliability assessment of GaN HEMTs on Si substrate with ultra-short gate dedicated to power applications at frequency above 40 GHz
par Hadhemi Lakhdhar sous la direction de Nathalie Malbert , Nathalie Labat et de Nicolas Defrance . - Bordeaux
Electronique
Soutenue le 20-12-2017
Contribution à la compréhension des mécanismes expliquant et limitant la linéarité des technologies à base de HEMT Nitrure de Gallium (GaN)
par Si Abed Karim Kahil sous la direction de Raymond Quéré - Limoges
Electronique des hautes fréquences, photonique et systèmes
Soutenue le 19-12-2017
Caractérisation et modélisation des sources de bruit BF dans les transistors bipolaires développés en technologie BiCMOS (sub 0,13µm) pour applications RF et THz
par Marcelino Seif sous la direction de Fabien Pascal et de Bruno Sagnes . - Montpellier
Electronique
Soutenue le 10-04-2015
Localisation et évolution des sources de bruit en basses fréquences de HEMTs GaN sous contraintes électriques
par Charlotte Sury sous la direction de Nathalie Malbert et de Nathalie Labat . - Bordeaux 1
Electronique
Soutenue le 29-03-2011
Jean-Guy Tartarin a été membre de jury de la thèse suivante :
Analyse des fluctuations discrètes du courant d’obscurité dans les imageurs à semi-conducteurs à base de silicium et Antimoniure d’Indium
par Clémentine Durnez sous la direction de Pierre Magnan et de Vincent Goiffon . - Toulouse, ISAE
Micro et nanosystèmes
Soutenue le 23-11-2017
