4255r  4260g  Addition erbium  Addition ytterbium  Al as ga in  Capacité MOS  Capacité MOS, MOSFET  Chimie des surfaces  Circuit intégré Complementary Metal Oxide SemiConductor - CMOS  Collage moléculaire  Conception assistée par ordinateur  Contacts métal-semiconducteur  Contraintes  Cristallin  Cycle d’hystérésis  Dds  Declenchement actif  Declenchement passif  Dielectric high K  Diffraction RHEED - Reflection high-Energy Electron diffraction  Diffraction des rayons X  Diffraction sous incidence rasante  Diode tunnel résonante  Dispositifs optoélectroniques  Domaines classiques de la physique  Doped materials  Dépôt en phase vapeur par organométalliques  Désorientation de flexion  Désorientation de rotation  EOT  Ejm  Epitaxie par jet moléculaire - MBE  Epitaxie par jets moléculaires  Equivalent Oxide Thickness - EOT  Erbium additions  Etude experimentale  Experimental study  Films minces d'oxydes monocristallins  Gallium arsenides  Gallium arseniure  Germanium  Glass  High-k  Hétéroepitaxie  Indium  Indium arsenides  Indium arseniure  Infrared laser  Ingaalas  Joint de grain  LaAIO3, AI203, Gd203  Laalo3  Laser declenche  Laser ir  Laser solide  MOS  MOS complémentaires  Materiau dope  Materiau optique  Materiau semiconducteur  Matériaux amorphes  Micro-usinage  Microlaser  Microscopie à Force Atomique  Microscopie électronique en transmission  Microscopie électronique en transmission filtrée en énergie  Modulateur  Modulators  Nanostructures  Nitrure de silicium  Nk  Optical materials  Optoélectronique  Organisation  Oxydation  Oxyde de Hafnium - HfO2  Oxydes  Oxydes cristallins  Oxydes fonctionnels  Oxydes high-k  Oxydes “high-k”  Oxygène atomique  Pac  Passivité  Permittivité  Physique  Plasma  Plasmas, Dynamique des  Propriétés électriques EOT  Pérovskite  Q switched laser  Rayonnement synchrotron  Rbs  Recuit post-dépôt  Relaxation des contraintes  Rheed, xps, afm, tem  Réflectivite des rayons X - XRR  Réseaux de dislocations  Semiconducteurs  Semiconductor materials  Silicium -- Couches minces  Silicium -- Substrats  Silicium  Simulation, Méthodes de  Solid state lasers  Spectroscopie de photoélectrons  Structuration de surface  Thallium -- Alliages  Traitements de surface  Transistor MOSFET - Composant à effet de champ à grille isolée  Transistors  Transistors MOSFET  Twistés  Verre  Ytterbium additions  Électronique  Épitaxie  Épitaxie par faisceaux moléculaires  

Guy Hollinger a dirigé les 18 thèses suivantes :


Guy Hollinger a été rapporteur de la thèse suivante :