Agrégats  Anisotropie  Anisotropie magnétique perpendiculaire  Balistique  Bisulfure de molybdène  C++  CMOS avancés  Calcul ab initio  Capacité quantique  Capteur d'images CMOS  Capteurs d'images CMOS  Caractérisation électrique  Chocs nucléaires  Circuit  Circuit neuro-inspiré  Circuits électroniques -- Calcul  Claquage diélectrique  Cmos  Contact ohmique  Contraintes mécaniques  Contrôle de charge  Couches minces  Couple de spinorbite  Courant d'obscurité  Dislocations  Dislocations dans les semiconducteurs  Disulfure de molybdène  Diélectrique organique  Diélectriques  Domaines magnétiques  Double grille  Durée de vie de porteurs  Défauts cristallins  Défauts ponctuels  Dégradation de mobilité  Effet de Hall de spin  Effet des radiations  Effet tunnel  Effets des radiations  Effets quantiques  Effets singuliers  Efficacité d’injection de spin  Efficacité  Electronique de spin  Environnement nucléaire  Environnement spatial  Etats de pièges à l’interface  Expériences  Extraction de défaut  FDSOI  Facteur de qualité  Facteur du bruit et puissance de consommation  Fdsoi  Fet  Fonctions de Green hors équilibre  Fusion nucléaire  GaN  Gaz 2D  Graphène  HEMT  Hall, Effet  Hamiltonien k . p  Hydrogénation  Imagerie  Impureté ionisée.  Interactions coulombiennes  Interactions d'ions lourds  Interfaces  Ions lourds  Irradiation  Jonction tunnel magnétique  Le fluorure  Localisation de défauts  Logique à pur courant de spin  MOS  MOS complémentaires  MOSFET  MOSFET à nanofil de silicium  Magnétorésistance à effet tunnel  Magnétorésistance  Matériaux III-V  Matériaux nanostructurés  Membrane de silicium  Memristors  Memristors organiques  Microcapteurs  Microscopie électronique en transmission  Microélectronique  MoS2  Mobilité  Mode d'enrichissement  Modèle analytique  Modèles mathématiques  Modélisation  Modélisation compacte  Modélisation de dispositifs semi-conducteurs  Modélisations  Monte Carlo  Monte-Carlo multi-sous-bandes  Monte-Carlo, Méthode de  Mosfet  Multigrille  Mémoires magnétiques  Mémoires résistives  Méthodes ab initio  Méthodologie de conception  Nanofil  Nanofils  Nanostructures  Nanotechnologie  Nanotubes  Nanotubes de carbone  Nanoélectronique  Opérateur hamiltonien  Ordinateurs -- Mémoires magnétiques  Oscillateurs hyperfréquences  Oscillateurs radiofréquences  P six bandes  Parois magnétiques  Passivation  Performance RF  Phonons  Photo-thermo-acoustique  Pipeline  Pixel à photodiode pincée  Poisson-Schrödinger  Polarisation  Pollution radioactive  Quantique  Radiofréquences  Reconfigurabilité  Réseaux neuronaux  Résistance d’accès  Résonance  STDP  Schrödinger, Équation de  Semi-Conducteur 2D  Semiconducteurs  Silicium -- Substrats  Silicium  Silicium contraint  Simulation  Simulation par ordinateur  Spectroscopie du courant d'obscurité  Spintronique  Synchronisation  Système bidimensionnel  Systèmes adaptatifs  Technologie SOI  Technologie silicium sur isolant  Technologies mémoires  Tension de claquage  Théorie de transport de Landauer  Théorie quantique  Transfert de spin  Transistor  Transistors  Transistors MOSFET  Transistors à effet de champ à dopage modulé  Transport  Transport balistique  Transport des électrons, Théorie du  Vortex magnétique  Électronique de spin  Électronique flexible  Équipement électronique miniaturisé  

Arnaud Bournel a rédigé la thèse suivante :


Arnaud Bournel a dirigé les 8 thèses suivantes :

Electronique et Optoélectronique, Nano- et Microtechnologies
Soutenue le 06-12-2019
Thèse soutenue


Arnaud Bournel a été président de jury des 6 thèses suivantes :


Arnaud Bournel a été rapporteur des 4 thèses suivantes :


Arnaud Bournel a été membre de jury des 3 thèses suivantes :