14nm FDSOI  16nm  1s1r  20nm Métal-Gate-Last  28nm Bulk  28nm FD SOI  3D VLSI integration  3d  3d sequential integration  7 nm  A2ram  ANOVA  Ab initio simulations atomistiques  Activation des dopants  Adn  Ajout d’éléments  AlGaN GaN  AlGaN/GaN  AlumineSONOS  Aluminium  Ampère  Amélioration du rendement  Analyse de performances Mémoire  Appariement  Appariement  Applications embarquées  Architecture Crossbar  Architectures de mémoire innovantes  Arsenic  Aspects iono-électroniques  Augmentation de la mobilité des porteurs  Auto-organisation  Autoalignment des canaux isolants  BEOL intermédiaire  BTI  Bandes d’énergie  Basse consommation  Basse température  Basses températures  Bipolar transistor  Bit quantique  Bore  Boucles de régulation  Bruit 1/f  Bruit  Bruit basse fréquence  Bruit telegraphique  Bruit à basse fréquence  Bruit à basses fréquences  Bruit électrique  Bruit électronique  Btbt  Bti  C++  C-V  CBRAM  CMOS  CMOS avancés  CMOSFETs  CNT  Capteurs biochimiques  Caractérisation  Caractérisation Electrique  Caractérisation electrique  Caractérisation physico-chimique des composites organiques  Caractérisation physique  Caractérisation électrique  Caractéristiques I-V et C-V  Caratérisation  Cbram  Cellules logiques  Chalcogénures  Characterization  Charges et dipôles  Circuit intégré  Circuits imprimés  Circuits intégrés  Circuits intégrés tridimensionnels  Circuits intégrés à faible consommation  Circuits logiques transistor-transistor  Circuits transistorisés  Claquage d’oxyde  Cmos  Cmos avancé  Cmos/pmos  Commutation  Commutation résistive  Composants de puissance  Composites polymères  Conception analogique  Conception à caisson unique  Conduction Fowler-Nordheim  Conduction électrique  Conductive Bridge Memory  Configuration cascode  Consommation d'énergie  Consommation dynamique/statique  Consommation énergétique  Contrainte  Contrainte électrique  Contraintes  Contraintes mécaniques  Contraintes thermiques  Contre-dopage  Contrôle du procédé de fabrication  Contrôle électrostatique  Coolcube  Corrélation  Couches minces  Courant d'obscurité  Courant de fuite  Courants tunnel  Cristaux -- Défauts  Crossbar  Cryo-CMOS  Design analogique  Dielectriques High-k  Diffusion de dopants  Diffusion migration des défauts  Diodes à barrière Schottky  Dispositifs nanométriques  Dispositifs à un électron  Diélectrique  Diélectrique high-k  Diélectriques  Défauts  Défauts électriques -- Localisation  Dégradation par porteurs chauds  Désappariement  FDSOI  Fd-Soi  Fdsoi  Fiabilité  FinFET  Flash  Grille enrobante  Grille métallique  HfO2  Ingénierie  Integration  Intégration 3D  Intégration  Intégration CMOS  MOS  MOS complémentaires  Magnétorésistance  Memristors  Microélectronique  Modèle  Modèles mathématiques  Modélisation  Modélisation HCI  Modélisation compacte  Modélisation statistique  Monte-Carlo, Méthode de  Mos  Mosfet  Mémoire à changement de phase  Mémoires flash  Mémoires non volatiles  Mémoires non-volatiles  Mémoires non-volatiles à accès sélectif  Mémoires résistives  Mémoires à changement de phase  Nanofil  Nanofils  Nanotechnologie  Nanoélectronique  Nitrure de gallium  Ordinateurs -- Mémoires  Oxram  Oxyde de hafnium  PCM  Pcm  Permittivité  Porteurs chauds  Relaxation  Rram  Semiconducteurs  SiGe  Silicium -- Couches minces  Silicium  Simulation  Simulation par ordinateur  Tcad  Technologie silicium sur isolant  Transistor  Transistor MOS  Transistors  Transistors MOSFET  Transistors bipolaires  Transistors à effet de champ  Transport  Transport électronique  Travail de sortie effectif  Tunnel FET  Variabilité  Variation process  Économies d'énergie  Électronique de puissance  Épitaxie par faisceaux moléculaires  

Gérard Ghibaudo a rédigé la thèse suivante :


Gérard Ghibaudo dirige actuellement les 10 thèses suivantes :

Nano electronique et nano technologies
En préparation depuis le 01-10-2018
Thèse en préparation

Nano electronique et nano technologies
En préparation depuis le 31-08-2018
Thèse en préparation

Nano electronique et nano technologies
En préparation depuis le 02-10-2017
Thèse en préparation

Nano electronique et nano technologies
En préparation depuis le 12-12-2016
Thèse en préparation

Nano electronique et nano technologies
En préparation depuis le 03-10-2016
Thèse en préparation

Nano electronique et nano technologies
Soutenue le 30-04-2020
Thèse en préparation


Gérard Ghibaudo a dirigé les 92 thèses suivantes :

Nanoélectronique et nanotechnologie
Soutenue le 06-11-2014
Thèse soutenue
Nanoélectronique et nanotechnologie
Soutenue le 20-10-2014
Thèse soutenue
Sciences et technologie industrielles
Soutenue le 24-09-2013
Thèse soutenue
Sciences et technologie industrielles
Soutenue le 14-12-2011
Thèse soutenue
Sciences et technologie industrielles
Soutenue le 05-12-2011
Thèse soutenue

Physique. Micro et nano électronique
Soutenue en 2007
Thèse soutenue

Physique des composants à semiconducteurs rapides
Soutenue en 2003
Thèse soutenue

Optique, optoélectronique et micro-ondes
Soutenue en 2002
Thèse soutenue

Sciences appliquées
Soutenue en 1998
Thèse soutenue


Gérard Ghibaudo a été président de jury des 37 thèses suivantes :

Nanoélectronique et nanotechnologie
Soutenue le 10-07-2019
Thèse soutenue
Sciences pour l'ingénieur: mécanique, physique, micro et nanoélectronique
Soutenue le 07-07-2017
Thèse soutenue

Sciences et technologie industrielles
Soutenue le 29-11-2013
Thèse soutenue
Sciences et technologie industrielles
Soutenue le 23-10-2013
Thèse soutenue
Sciences et technologie industrielles
Soutenue le 24-10-2012
Thèse soutenue
Sciences et technologie industrielles
Soutenue le 06-07-2012
Thèse soutenue

Gérard Ghibaudo a été rapporteur des 8 thèses suivantes :

Micro et nanoélectronique
Soutenue le 01-12-2011
Thèse soutenue

Gérard Ghibaudo a été membre de jury de la thèse suivante :