14 nm  3D séquentielle  Activation du bore  Activation et diffusion du bore  Agglomération du bore  Amas  Analyse de phases  Basse énergie  Biprisme  Bore  Boucle  Boucles d'asservissement de phase  CMOS  CMOS technologie  Caractérisation  Cartographie 2D  Cavités  Chalcogénure  Chalcogénures  Champ sombre  Circuits électroniques  Cmos  Co-optimisation dessin/technologie  Coalescence  Collage moléculaire  Combustible nucléaire  Combustibles nucléaires  Condensation  Contrainte  Contrainte d'implantation  Contraintes  Contraintes  Contraintes et déformations dans les MOSFETs  Contraintes mécaniques dans les objets de petites dimensions  Contrôle non destructif  Couches enterrées  Couches minces  Cristaux  Cristaux moléculaires  Diffraction  Diffusion  Diffusion  Diffusion accélérée et transitoire  Diffusion du bore  Diffusion, piégeage  Dioxyde  Dioxyde d'uranium  Dislocation  Dopage  Dynamique  Dynamique d'amas  Dynamique moléculaire  Défauts  Défauts EOR  Défauts bidimensionnels  Défauts ponctuels  Défauts {113}  Défauts étendus  Déformation  Déformations  Déformations  Désorientation de flexion  Désorientation de rotation  Effets géométriques  Empirique  Epaisseur  Evolution de Surface  FDSOI  Fd-soi  Fuites de jonction  Gaz de fission  GeTe/Sb2Te3  Germanium  Gravité quantique  Haute résolution  Holographie  Holographie Electronique en Champ Sombre  Holographie acoustique  Holographie numérique  Holographie électronique en champ sombre  Hydrogène  Hélium  Implantation  Implantation d'hélium/hydrogène  Implantation ionique  Implantation par immersion plasma  Implantation, hydrogène  Interstitiels  Intégration 3D  Ions -- Diffusion  Ions -- Implantation  Ipcm  Irradiation  Joint de grain  Jonctions ultra minces  Jonctions ultraminces  Lacunes  Liner SiN  Locale  MOS  MOS complémentaires  Maturation d'Ostwald  Met  Microscopie électronique en transmission  Microélectronique  Mobilité  Modélisation  Modélisation par Eléments Finis  Monte Carlo cinétique  Monte-Carlo, Méthode de  Mémoires non volatiles  Méthode des éléments finis  Métrologie  Mûrissement d'Ostwald  Nanocristaux  Nanocristaux de Si  Nanostructures  Nitrate d'uranyle  Ordinateurs -- Mémoires  Organisation  Oxydation  Oxydation auto-limitée  Oxydation thermique  Photopiles  Plasma  Potentiel  Production -- Contrôle  Produits de fission  Précipitation  Pulvérisation cathodique  Pvd  Recristallisation  Recristallisation en phase solide  Recroissance épitaxiale  Recuit des cristaux  Recuits ultra rapides  Rugosité  Réseaux de dislocations  SOI  Science des matériaux  Sciences appliquees  Semi-conducteurs  Semiconducteurs -- Dopage  Semiconducteurs -- Défauts  Semiconducteurs -- Jonctions  Semiconducteurs  Sgoi  SiGe  Silicium -- Couches minces  Silicium -- Substrats  Silicium  Silicium cristallisé  Silicium-Sur-Isolant  Simulation  Simulations par éléments finis  Spe  Spreading resistance  Structuration de surface  Super-Réseau cristallin  Superréseaux  Systèmes complexes  TDS  Technologie silicium sur isolant  Thermodynamique  Traitement thermiques  Transistor  Transistor submicronique  Transistors MOSFET  Tri-gate  Twistés  UO2  Uranium  Van der Waals, Forces de  Variants cristallographiques  Élasticité  Éléments finis, Méthode des  Épitaxie  

Alain Claverie a dirigé les 19 thèses suivantes :

Matériaux, mécanique, génie civil, électrochimie
Soutenue en 2008
Thèse soutenue


Alain Claverie a été président de jury des 3 thèses suivantes :


Alain Claverie a été rapporteur des 6 thèses suivantes :

Matériaux, Mécanique, Génie civil, Electrochimie
Soutenue le 08-03-2018
Thèse soutenue


Alain Claverie a été membre de jury de la thèse suivante :