...  ARV  AlGaN  Alliage silicium-Germanium  Allocation dynamique  Amorçage  Amplificateur de haute puissance  Amplificateur de puissance  Amplificateur de puissance RF  Amplificateurs  Amplificateurs de puissance  Amplificateurs haute fréquence  Amplificateurs microondes  Amplificateurs à transistors  Analyse de défaillance  Analyse micro-structurale  Analyse thermique  Analyseur de réseau non linéaire  Analyseur de réseau vectoriel 4-Ports  Analyseurs de réseaux vectoriels non linéaires  Antennes  Antennes-cornets  Appareils électroniques -- Alimentation en énergie  Bande G  Bande Ka  Bande L  Bande S  Bande X  BiCMOS  Budget thermique  CMOS 28 nm  Calibrage sur silicium  Capacité thermique  Capteur térahertz  Capteurs  Caractérisation  Caractérisation RF  Caractérisation intégrée  Caractérisation load-Pull  Caractérisation thermique  Caractérisations de dispositifs à semi-conducteurs  Caractérisations de semi-conducteurs  Caractérisations électriques  Carte de test  Cavité microonde  Changeurs de fréquence  Charge intégrée variable  Circuit différentiel  Circuits intégrés -- Passivation  Circuits intégrés  Circuits intégrés monolithiques hyperfréquence  Circuits intégrés pour microondes  Circuits pour microondes  Circuits à capacités commutées  Circuits électriques non linéaires  Codage  Codage passif  Collecteurs implantés  Combinaison de puissance  Combineurs de puissance  Commande dynamique de polarisation  Communications intrapuces  Composants passifs  Conception MMIC  Conception assistée par ordinateur  Conception et simulation  Conversion RF-DC  Convertisseur DC/DC boost  Convertisseurs continu-continu  Convertisseurs électriques  Couplage thermique mutuel  Croissance Epitaxiale  Current collapse  D-mode  De simulation thermique TCAD  De-embedding  Des mesures impulsionnelles  Diodes autocommutantes  Diodes à barrière de Schottky  Diodes à semiconducteur  Dispersion basse fréquence  Dispositif différentiel  Dispositif à des interactions de circuit  Dispositifs à microondes  Dispositifs à ondes millimétriques  Dispositifs électromagnétiques  Diviseur de puissance  Doherty  Détecteur de puissance  Détecteurs de microondes  Détecteurs de radiations  Détecteurs de rayonnement infrarouge  Détection du signal  E-mode  Effet tunnel  Effets de la température  Effets de pièges  Effets électrothermiques  Envelope tracking  Fabrication  Fermi, Niveau de  Fiabilité  Fonctionnement RADAR  Formation de faisceau  Front-End RF  Fréquences des oscillations  Fréquences millimétriques  GaN  Germanium -- Alliages  Germanium  Grilles virtuelles  Guides d'ondes  Générateur d'impédance  HEMT  HEMT AlGaN/GaN  HEMT GaN  HEMT à grille-réseau  Haut-rendement  High Electron Mobility Transistors  Hétéro-transistors bipolaires  Hétérojonctions  Hétérostructures  III-N  Imagerie microonde  Impulsions laser ultra-brèves  Impulsions électromagnétiques  Impédance de charge  Impédance thermique  InAlN  Incertitude de mesure  Indium  Instruments  Interactions laser-matière  Interconnexions RF  Interconnexions métalliques  Interférométrie  Intermodulation  Interposeur verre  Intégration monolithique  Ionisation par impact  Ions piégés  La modélisation de dispositifs semi-conducteurs  Large Bande  Ligne coplanaire couplée  Linéarisation  MMIC  MOS  MOS complémentaires  MOSFETs  MOVPE  Membranes SOI  Mesure  Mesures impulsion  Mesures microondes  Mesures électriques  Mesures électroniques  Micro-usinage  Microondes  Microscopie à émission de lumière dans le domaine visible-proche infrarouge et dans le domaine de l'UV  Miroirs photoniques  Mise sous boîtier  Modeles électriques linéaires  Modulation d'impulsions en durée  Modèle fort courant  Modèle électrothermique multi-gémoétries  Modèles mathématiques  Modèles électriques non linéaires  Modélisation  Modélisation d'un dispositif semi-conducteur  Modélisation technologique TCAD  Modélisation électrique  Modélisation électromagnétique  Modélisation électrothermique  Multiplieur de fréquence  Multiplieur de fréquences  Mélangeurs hyperfréquences  Nanofils  Nanotechnologie  Nitrure de gallium  Nitrures  Non-linéarité  Ondes décimillimétriques  Ondes millimétriques  Polarisation  Polarisation dynamique  Radiofréquences  Résistance thermique  Silicium  Spectroscopie Raman  Systèmes de communication sans fil  Technologie silicium sur isolant  Thermoréflectance  Transistors -- Pièges électriques  Transistors  Transistors bipolaires  Transistors bipolaires à hétérojonctions  Transistors de puissance  Transistors à effet de champ  Transistors à effet de champ à dopage modulé  Transistors à haute mobilité d'électrons  Étalonnage  

Christophe Gaquière a rédigé la thèse suivante :


Christophe Gaquière a dirigé les 26 thèses suivantes :

Micro et Nanotechnologie, Acoustique et Télécommunications
Soutenue le 15-12-2016
Thèse soutenue
Micro et nanotechnologies, acoustique et télécommunications
Soutenue le 10-12-2014
Thèse soutenue
Micro et nanotechnologies, acoustique et télécommunications
Soutenue le 16-10-2013
Thèse soutenue
Micro et nanotechnologies, acoustique et télécommunication
Soutenue le 14-11-2012
Thèse soutenue

Microélectronique, acoustique et télécommunication
Soutenue le 07-11-2011
Thèse soutenue

Micro-Nanotechnologie, Acoustique et Télécommunication
Soutenue le 25-06-2010
Thèse soutenue
Microondes et microtechnologies
Soutenue le 03-10-2008
Thèse soutenue


Christophe Gaquière a été président de jury des 4 thèses suivantes :

Electronique, microélectronique, optique et lasers, optoélectronique microondes
Soutenue le 06-11-2018
Thèse soutenue

Christophe Gaquière a été rapporteur des 15 thèses suivantes :

Electronique et optoélectronique, nano- et microtechnologies
Soutenue le 14-02-2017
Thèse soutenue
Electronique des Hautes Fréquences Photonique et Systèmes
Soutenue en 2014
Thèse soutenue
STIC (sciences et technologies de l'information et de la communication) - Cergy
Soutenue le 08-11-2012
Thèse soutenue

Christophe Gaquière a été membre de jury des 7 thèses suivantes :

Electronique des hautes fréquences, photonique et systèmes
Soutenue le 26-10-2017
Thèse soutenue