Thèse soutenue

FR  |  
EN
Auteur / Autrice : Gaël Donval
Direction : Florent Boucher
Type : Thèse de doctorat
Discipline(s) : Science des matériaux, Chimie du solide
Date : Soutenance en 2015
Etablissement(s) : Nantes
Ecole(s) doctorale(s) : École doctorale Matériaux, Matières, Molécules en Pays de la Loire (3MPL) (Le Mans ; 2008-2021)
Partenaire(s) de recherche : autre partenaire : Université de Nantes. Faculté des sciences et des techniques
Jury : Président / Présidente : Guy Ouvrard
Examinateurs / Examinatrices : Florent Boucher, Pascale Bayle-Guillemaud, Séverine Jouanneau Si Larbi, Philippe Moreau, Guy Ouvrard, Nathalie Vast
Rapporteurs / Rapporteuses : Nathalie Vast

Mots clés

FR

Résumé

FR  |  
EN

Le silicium est un matériau très prometteur pour les électrodes négatives des accumulateurs aux ions lithium. Ce genre d’électrodes subit notamment une amorphisation qui rend la caractérisation difficile grâce aux techniques expérimentales habituelles. Dans cette thèse, nous avons choisi d’étudier des spectres de perte d’énergie des électrons (eels) pour aider à les interpréter, afin de révéler, à l’échelle atomique, la structure et la composition de l’interface générée par le front de lithiation du silicium. L’interprétation des spectres constituant cependant un véritable challenge, surtout le long d’un milieu inhomogène comme une interface, nous avons concentré nos efforts sur l’étude théorique des interfaces dans le cadre de la théorie de la fonctionnelle de la densité électronique (dft). S’appuyant sur les connaissances du diagramme de phase du système binaire LixSi et grâce au développement d’outils efficaces de génération d’interfaces lithiées, des structures réalistes de front de lithiation ont été stabilisées en utilisant la dynamique moléculaire ab initio. Ayant testé en parallèle les méthodes les plus appropriées pour calculer les spectres-lignes en eels sur ces systèmes à grand nombre d’atomes, nous avons réussi à extraire des paramètres fondamentaux renseignant sur les compositions aux interfaces. La loi d’évolution de la position du pic de plasmon a notamment été établie et nous démontrons sa généralisation sur tout un domaine de compositions LixSi.