Etude d'amplificateurs faible niveau à haute linéarité en technologies intégrées HEMT AsGa pour applications spatiales
Auteur / Autrice : | Joseph Tapfuh Mouafo |
Direction : | Bernard Jarry, Michel Campovecchio |
Type : | Thèse de doctorat |
Discipline(s) : | Électronique des hautes fréquences et optoélectronique |
Date : | Soutenance en 2008 |
Etablissement(s) : | Limoges |
Partenaire(s) de recherche : | autre partenaire : Université de Limoges. Faculté des sciences et techniques |
Mots clés
Résumé
Dans ce mémoire, nous examinons en détail les différentes méthodes d'évaluation de la linéarité dans les amplificateurs. Une analyse mathématique par séries de Volterra, basée sur le schéma équivalent d'un transistor HEMT nous a permis de dégager les différents paramètres qui influencent la linéarité d'un amplificateur faible niveau, notamment, son point de polarisation et ses impédances de charge. Ainsi, l'optimisation de la linéarité ne passe plus par l'optimisation du P1dB comme dans le cas des amplificateurs de puissance, mais sur l'optimisation de la charge des transistors du dernier étage à partir des données issues d'une mesure load-pull bi-porteuse visant à maximiser directement le C/I3 pour une puissance de fonctionnement nominale. Cette approche permet de palier à l'absence de modèle non-linéaire fiable pour prédire l'intermodulation à bas niveau de puissance de fonctionnement et d'optimiser la linéarité à partir d'une simple simulation linéaire robuste, fiable et rapide.