Etude de la fiabilité porteurs chauds et des performances des technologies CMOS 0. 13 µm-2nm

Reliability study of 130nm CMOS technology submitted to hot carrier injections

• Auteur / Autrice : Thierry Di Gilio
• Direction : Michel Lannoo
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Physique, modélisation et sciences pour l'ingénieur
• Date : Soutenance en 2006
• Etablissement(s) : Aix-Marseille 1
• Partenaire(s) de recherche : autre partenaire : Université de Provence. Section sciences

Mots clés

Mots clés contrôlés

Durée de vie (ingénierie)

Détérioration

Transistors

Transistors MOSFET

Résumé

Ces travaux sont consacrés à l'étude de la dégradation des transistors MOSFETs de la génération 130nm-2nm, soumis aux injections de porteurs énergétiques générés par les champs électriques élevés. Les méthodes de vieillissement et de caractérisation sont adaptées pour cette technologie. Une étude comparative des mécanismes de dégradations mis en jeu est ensuite réalisée sur des technologies antérieures afin de mettre en évidence l'évolution de ces mécanismes. Ces résultats sont utilisés pour l'évaluation de la durée de vie des dispositifs dans leur fonctionnement normal. Nous adaptons ces techniques d'extrapolation aux modes de défaillances relevés