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Thèse soutenue

Contribution à la modélisation électrique des interconnexions "cuivre" dans les circuits intégrés ULSI : application aux technologies 0.25, 0.13 microns et 70 nanomètres

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Auteur / Autrice : Karim El Bouazzati
Direction : Patrick Kennis, Jean-François Légier
Type : Thèse de doctorat
Discipline(s) : Micro-ondes et microtechnologies
Date : Soutenance en 2005
Etablissement(s) : Lille 1

Résumé

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Ce travail consiste en la modélisation électrique des interconnexions "cuivre" dans les circuits intégrés ULSI des technologies 0. 25, 0. 13 micromètres et 70 nanomètres. L'action de l'effet de peau sur la validité du schéma électrique équivalent RC d'une connexion dans la technologie 0. 25 [micron] a été évaluée. Nous avons ensuite déterminé précisément l'impact de l'effet inductif sur les évolutions des temps de retard de propagation et de commutation des impulsions véhiculées par l'interconnexion afin d'étudier l'intégrité des signaux. Cette opération a été effectuée en présence des niveaux environnants à pertes ou parfaitement conducteurs. L'impact de l'inductance dans le schéma électrique RLC est quantifié grâce à l'utilisation d'une méthode d'éléments finis à éléments d'arêtes couplée à la théorie des lignes de transmission. Le comportement de deux et trois interconnexions en mutuelle interaction, d'un même niveau de métallisation, dans la technologie 0. 25 [micron] a été analysé, et ce, grâce au calcul de la diaphonie. Enfin, nous concluons ce travail en comparant les performances conjointes des interconnexions associées aux technologies 0. 25 {micron], 0. 13 [micron] et 70 nm.