Caractérisations électro-optiques de couches AlInAs epitaxiées sur InP

= Electro-optical caracterization of AlInAs layers grown on InP

• Auteur / Autrice : Eric Bearzi
• Direction : Gérard Guillot
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Physique de la matière
• Date : Soutenance en 1996
• Etablissement(s) : Lyon, INSA
• Ecole(s) doctorale(s) : Ecole doctorale Matériaux de Lyon (Villeurbanne1992?-....)
• Partenaire(s) de recherche : Laboratoire : LPM - Laboratoire de Physique de la Matière (1961-2007)

Mots clés

Mots clés contrôlés

Optoélectronique

Semiconducteurs

Résumé

Le matériau AllnAs, grâce à ses propriétés électriques et optiques; notamment la forte discontinuité de bande de conduction à l'hétérointerface AllnAs/GaInAs, est devenu un matériau clef dans la réalisation de dispositifs optoélectroniques et hyperfréquence à hétérojonction. L'optimisation des performances et des dispositifs passe par la maîtrise de la croissance du matériau et par une connaissance précise des défauts. Nous avons entrepris une étude des propriétés électriques et optiques en fonction des conditions de croissance de l'AlInAs. Le caractère semi-isolant des couches élaborées par épitaxie par jets moléculaires à basse température de croissance à été expliqué. Le piégeage des porteurs s'effectue sur un niveau nommé H2 généré par les défauts étendus présents dans le matériau. Les propriétés optiques ont également été étudiées en fonction des conditions de croissance. Nous avons montré que dans certaines conditions, un super réseau désordonné se forme dans le matériau et influence fortement les mesures.

The AlInAs material thanks to his electrical and optical properties, especially the high discontinuity of the conduction band at the heterointerface AlInAs/GaInAs, has become a key material for the realisation of optoelectronics and hyperfrequencies devices at heterojunction. The optimum results of performances and devices needs the control of the material growth and a precise knowledge of its defects. We have begun a study on the AllnAs electrical and optical properties according to its growth conditions. We have explained the semi-insulating characteristics of the layers grown by Molecular Bearn Epitaxy at low temperature. The carriers trapping occurs at a level called H2 which is induced by the extended defects of the material. The optical properties have also been studied according to the growth conditions. We have demonstrated that, on special conditions, a disordered superlattice appears in the material and strongly affects the measurements.