Piegeage du positon dans cd#xhg#1#-#xte : determination de la structure atomique des accepteurs

by LAURENT BAROUX

Doctoral thesis in Physique

Under the supervision of C. CORBEL.

defended on 1995

in Paris 11 .

  • Alternative Title

    Positron trapping in cd#xhg#1#-#xte: determination of acceptors atomic structure


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  • Abstract

    Les techniques d'annihilation du positon permettent de caracteriser les defauts lacunaires dans les materiaux. Les deux principales mesures utilisees ici sont le temps de vie du positon et l'elargissement doppler de la raie 511kev d'annihilation du positon qui permet de determiner la fraction des annihilations positon-electron de valence s et la fraction des annihilations positon-electron de cur w. Ces differentes grandeurs changent avec l'etat d'annihilation du positon et peuvent etre utilisees comme les signatures de l'etat du positon, delocalise dans le reseau ou localise dans un defaut. Nous avons utilise ces techniques pour etudier le role des lacunes dans le dopage p par recuit thermique dans cd#0#,#2#2hg#0#,#7#8te et la compensation liee au dopage par in ou cl dans cdte. Par des mesures en fonction de la temperature, de 20 a 300k, nous mettons en evidence, d'une part, la lacune de mercure dans cd#0#,#2#2hg#0#,#7#8te de type p et la lacune de cadmium dans cdte, et d'autre part des ions negatifs dans cd#0#,#2#2hg#0#,#7#8te et dans cdte. Ainsi la lacune de mercure participe donc bien au dopage p des cristaux de cd#0#,#2#2hg#0#,#7#8te. Un modele de piegeage permet de montrer l'existence de v#h#g sous ses trois etats de charge 0, - et 2-, de calculer les niveaux d'ionisation v#h#g-n#h#g#0 et v#h#g#2-n#h#g- et, a l'aide de mesures d'effet hall, de determiner la concentration des differents accepteurs et des donneurs. Quant au phenomene de compensation dans cdte, les atomes in semblent compenses par les lacunes v#c#d dans cdte(in) elabore par thm ou l'on detecte dans tous les cristaux thm le meme defaut identifie au complexe v#c#d#2#--in#c#d#+. Dans cdte(ci), il existe plus d'un type de defaut lacunaire, independamment de la methode d'elaboration et de la concentration en ci

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Informations

  • Details : 322 P.
  • Annexes : 113 REF.

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  • Library : Université Paris-Sud (Orsay, Essonne). Service Commun de la Documentation. Section Sciences.
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  • Library : Centre Technique du Livre de l'Enseignement supérieur (Marne-la-Vallée, Seine-et-Marne).
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  • Odds : TH2014-012146
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