Calcul numérique des coefficients d'ionisation par impact dans Ga1-xAlxSb (0<- x <- 0,08) : Relation avec la structure de bandes

Numerical calculation of impact ionization coefficients in ga#1#-#xal#xsb(0x,,08). Relation with bands structure

• Auteur / Autrice : Abdelaziz Rmou
• Direction : Henri Luquet
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Milieux denses et matériaux
• Date : Soutenance en 1994
• Etablissement(s) : Montpellier 2

Mots clés

Mots clés contrôlés

Anisotropie

Énergie, Bandes d' (physique)

Électrons libres dans les métaux, Théorie des

Ionisation

Aluminium

Diodes à avalanche

Capteurs optiques

Résumé

Ce travail presente le calcul numerique des probabilites d'ionisation par impact dans ga#1#-#xal#xsb(0x,,08) et donne une estimation des coefficients d'ionisation. Ce travail a permis: de calculer la variation des coefficients d'ionisation des trous et des electrons en fonction du champ electrique et de la composition en aluminium dans ga#1#-#xal#xsb. De mettre en evidence l'existence d'un maximum du coefficient d'ionisation de trous pour une composition x non nulle. Ce maximum a pour origine la decroissance de la densite d'etats permis pour l'ionisation avec la composition, d'une part, et l'accroissement de la probabilite du au desordre d'alliage d'autre part. De montrer les effets de l'anisotropie de la structure de bandes sur l'ionisation des electrons. Ces resultats sont coherents avec les resultats experimentaux obtenus au laboratoire. Ils montrent que la condition d'egalite gap = eclatement spinorbit ne peut a elle seule rendre compte du maximum d'ionisation de trous