Depot des couches de silicium polycristallin dopees in -situ au phosphore par la technologie vlpcvd : etude des proprietes physiques et electriques

by AHMED LIBA

Doctoral thesis in Physique

Under the supervision of Michel Sarret.

defended on 1993

in Rennes 1 .

  • Alternative Title

    Very law-pressure chemical vapor deposition of in situ phosphorus doped silicon films. Study of physical and electrical properties


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  • Abstract

    Ce travail presente une etude des depots sur substrat de verre de silicium dope in situ au phosphore, par la technique de decomposition thermique de silane a basse pression ou lpcvd. L'objectif de cette etude est la maitrise du taux de dopage de l'element phosphore dans les couches minces de silicium elaborees a une temperature n'excedant pas 600c. Nous avons cherche les parametres de depot (temperature, pression, rapport ph#3/sih#4) qui conduisent a des films permettant la realisation de transistors couches minces

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Informations

  • Details : 1 vol. (148 f.)
  • Annexes : 63 REF

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