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Thèse soutenue

Contribution à l'étude de l'influence du dopage électronique sur la plasticité de l'arséniure de gallium

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Auteur / Autrice : Innocent Zongo
Direction : Jean Di Persio
Type : Thèse de doctorat
Discipline(s) : Science des matériaux
Date : Soutenance en 1990
Etablissement(s) : Lille 1

Résumé

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Ce travail a eu pour objectif l'étude de l'influence de la température et du dopage sur le comportement plastique de l'arséniure de gallium GaAs dans le domaine des moyennes températures (0,25 Tf < T < 0,65 Tf). Les résultats concernant plus spécifiquement le dopage isoélectronique à l'indium sont présentes et comparés au cas semi-isolant choisi comme référence. Ils montrent que la réponse plastique des deux matériaux est essentiellement comparable. La faible différence qui s'apparente à un effet de solution solide ne peut en aucun cas rendre compte de la forte réduction de la densité de dislocations de croissance dans le matériau dopé isoélectroniquement. Les comportements plastiques différent au contraire fortement dans le cas de dopants électriquement actifs comme le sélénium (n) ou comme le zinc (cas d'un codopage ln-Zn de type p étudié dans ce travail). L'analyse des résultats expérimentaux a utilisé l'approche phénoménologique traditionnelle de la déformation plastique. Les résultats obtenus paraissent en bon accord avec ce qui a déjà été publié sur le sujet. L'originalité de ce travail réside toutefois dans l'analyse thermodynamique approfondie utilisée, qui a permis pour la première fois d'interpréter l'inadéquation, rapportée par de nombreux auteurs, des formalismes classiques de l'activation thermique à rendre compte pleinement des expériences, malgré la bonne cohérence apparente de ces résultats. Le rôle critique joué par la densité de dislocations mobiles dans l'évaluation de certains paramètres expérimentaux et l'existence de plusieurs mécanismes élémentaires de plasticité simultanément activés dans le domaine thermique exploré sont clairement démontrés.