Transistor à effet de champ à hétérojonction iAlGaAs/nGaAs, à grille isolée et canal dopé (DMT) : analyse du fonctionnement et optimisation technologique : application à l'amplification de puissance microonde

Heterojunction iAlGaAs/n+GaAs field effect transistor with an insulated gate and a doped channel (DMT) : analysis of the behavior of the device and technological optimization : application to microwave power amplification

• Auteur / Autrice : Bertrand Bonte
• Direction : Yves Crosnier
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Électronique
• Date : Soutenance en 1990
• Etablissement(s) : Lille 1

Mots clés

Mots clés contrôlés

Transistors

Amplificateurs

MOS (électronique)

Résumé

Les progrès actuels de la technologie microélectronique des semiconducteurs III-V permettent le développement de nouveaux types de transistors à effet de champ faisant un large usage d'hétérojonctions et atteignant des performances records. Ce travail concerne le DMT (Doped Channel MIS-Like Transistor) qui est basé sur le système d'hétérojonction iAlGaAs/n+GaAs avec substrat de GaAs. Ce composant s'apparente à un MISFET à canal dopé et, grâce à cette particularité, présente le double avantage d'une bonne tenue en tension et d'un courant élevé et en conséquence, la potentialité d'une utilisation en amplification de puissance hyperfréquence. Dans une première partie, nous développons une étude du claquage au pincement avec une modélisation bidimensionnelle basée sur la résolution de l'équation de Poisson en absence de courant. L'optimisation théorique complète du composant est ensuite traitée à l'aide d'une modélisation pseudo-bidimensionnelle, permettant de prévoir le comportement statique et hyperfréquence, et l'aptitude à un fonctionnement en amplification de puissance. La possibilité d'un fonctionnement en régime d'accumulation et sa limitation par le courant grille sont aussi discutées.