Etude par microscopie electronique en transmission de petits defauts dans des monocristaux de gaas

• Auteur / Autrice : JEAN-PIERRE CORNIER
• Direction : Richard Portier
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Physique
• Date : Soutenance en 1988
• Etablissement(s) : Paris 6

Mots clés

Mots clés libres

Physique

Etat condense

Proprietes mecaniques et thermiques

Etude experimentale

Compose mineral

Monocristal

Semiconducteur

Dislocation

Densite dislocation

Precipite

Support

Interface croissance

Microscopie electronique transmission

Modele

Croissance cristalline

Methode phase fondue

Defaut cristallin

Gallium arseniure

Experimental study

Inorganic compound

Single crystal

Semiconductor materials

Dislocation

Dislocation density

Precipitate

Support

Growth interface

Transmission electron microscopy

Models

Crystal growth

Growth from melt

Crystal defect

Gallium arsenides

Résumé

Recherche de la forme optimale des parois d'un monocristal de gaas lors de son elaboration pour reduire la densite des dislocations. Elaboration d'un modele pour la forme de l'interface de croissance a l'emergence d'une dislocation